安徽压敏电阻MOV包封层

    压敏电阻的失效模式有三种：一是劣化，表现为泄漏电流增加，压敏电阻电压下降，直至为零。如果过电压引起的浪涌能量过大，超过了所选变阻器限值的承载能力，变阻器抑制过电压时会出现陶瓷爆裂现象。第三种穿孔，如果峰值过电压特别高，压敏电阻的大多数故障模式都会退化。解决方法是在使用变阻器时，将合适的断路器或熔断器串联在变阻器上，以避免短路引起的事故。总之，当变阻器吸收浪涌时，它会崩溃，当电压降低时，它的工作电流会过大，直到烧坏；如果发生爆裂（封装层破裂，引线与陶瓷体分离），电路将断开，导致保护失效；如果短路，它会烧坏。当变阻器的使用环境或湿度过高时，变阻器会恶化（崩溃电压降低），使其工作电流过大，直到烧坏或短路。当变阻器的工作电压超过额定工作电压时，变阻器会劣化（崩溃电压会降低），使其工作电流过大，直到烧坏或短路为止。 25D（25mm）压敏电阻的通流量一般为15kA。安徽压敏电阻MOV包封层

贴片压敏电阻与TVS二极管的区别：贴片压敏电阻是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。 主要采用积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。 而TVS二极管是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。 在二极管中，也有使用Au丝等的情况。从盘型压敏电阻等初期的压敏电阻时的记忆中，压敏电阻的反应速度慢，经常听到这样的话。 但是，贴片压敏电阻和TVS二极管对施加过电压的反应速度一样。 施加IEC61000-4-2 HBM +8kV后，在1ns以内达到峰值，400ns后施加在保护部件上的电压值几乎为0。压敏电阻和TVS二极管的静电容量幅度大不相同。 由于贴片压敏电阻采用积层结构，所以可以通过增加内部电极的层数，增加静电容量。 用EIA0805以下的尺寸进行比较时，静电容量的最大值有近100倍的差距。 因此，在必须并联放入MLCC的线路中，也有可以用单个贴片压敏电阻应对的情况。安徽压敏电阻MOV包封层压敏电阻具有较高的浪涌吸收能力，高达数十千安倍。

压敏电阻老化失效是指电阻器低电阻线性化的逐渐加剧，泄漏电流的恶性增加和流向薄弱点的集中，薄弱点的材料融化，形成约1K的短路孔后，电源继续将大电流推入短路点，形成高热和火灾。这种事故通常可以通过与压敏电阻串联的热熔触点来避免。热熔触点应与电阻器体具有良好的热耦合。当比较大冲击电流流过时，它不会断开，但当温度超过电阻器本体的上限工作温度时，它会断开。结果表明，如果压敏电阻存在制造缺陷，则容易出现早期故障。低强度电击的多重效应也会加速老化过程，使老化失效提前出现。

压敏电阻的漏电流确定了压敏电阻上加上稳态工作电压后的有功功耗。在一定的电压下引起漏电流工，引起元件的发热，发热功率为IR。普通的SiC避雷器几乎总是有间隙的结构，因此不存在漏电流问题。就这一点而言，SiC是被动元件，而ZnO是个主动的活性元件。其次漏电流的大小确定了稳态工作电压V的数值，在这个电压下元件不会因为产生过高的发热现象，若过度发热，则必须降低V进而减小。有必要从以下2个方面来权衡V及其产生的L:一方面希望把工作电压尽可能放在非线性的开始点，即尽可能的接近ElmA，以获得比较好保护水平:另一方面要防止元件因过度发热而失控。对于电力系统应用的大多数情况而言，将稳定工作电压设定在Em的70%到80%为宜。压敏电阻具有多种引线脚型。

贴片压敏电阻体积小，节省空间大TVS二极管静电容量小，需要并联插入MLCC一起使用，这样就占用二个元件的面积，而贴片压敏电阻静电容量大，和TVS二极管、MLCC体积差不多，但只需要一个贴片压敏电阻就可以代替TVS二极管和MLCC这两个产品，节省空间。2、音频失真小TVS二极管有极性，的电流-电压特性(IV曲线)急剧升高，导致音频信号失真，而贴片压敏电阻无极性，其电流-电压特性IV曲线)升高幅度慢，更容易保持高音质。3、通过静电容量抑制噪音在智能手机的音频线路中，音频编解码器及D级放大器等会产生噪音，对内部造成干扰，导致接收灵敏度劣化。MLCC的静电容量范围较广，为数pF～数F，TVS二极管的静电容量范围为数pF～数10pF，贴片压敏电阻的静电容量范围为数pF～数百pF，音频线路发射的电子噪音以数100MHz～数GHz的频带居多，抑制这些频带的噪音，选择静电容量为数pF～数100pF的贴片压敏电阻更为有效。压敏电阻是一种过压保护元件，一般用于交流电路浪涌保护。安徽压敏电阻MOV包封层

25MM压敏电阻脚间距一般为10mm或12.5mm。安徽压敏电阻MOV包封层

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