甘肃低负载电容型晶振封装

晶振工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。甘肃低负载电容型晶振封装

在工作电路中，如果晶振损坏会有哪些特征现象呢？晶振损坏分为两大类，一是彻底停振，二是具有不稳定性一，彻底停振如果晶振停振，对手机而言可能无法正常开机，就像心脏突然停止跳动，以该晶振为时钟信号的电路都会停顿**二，具有不稳定性引起不稳定性的原因有很多，可能是晶振质量问题，更多原因则是晶振参数与电路参数不相匹配，例如系统要求精度20ppm，而晶振参数只有50ppm；再或者匹配电容要求12PF，而实际电容只有9PF诸多原因。广东串联谐振型晶振生产晶振可以提供较稳定的脉冲，广泛应用于微芯片的时钟电路里。

短稳：短期稳定度。频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的**小峰值改变量率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。单边带相位噪声￡（f）：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的比较大偏差。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。

    电路振荡过程：接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过VT，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在X1、C1、C2两端有f0信号电压，取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，C1、C2两端的信号电压增大，C2两端的电压又送到VT基-射极，如此反复进行，VT输出的信号越来越大，而VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路。 对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型。

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在晶体振荡器中，晶体作为谐振器振动，产生的频率决定了振荡频率。甘肃低负载电容型晶振封装

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