北京低压电源线ESD保护元件封装

时间:2023年07月01日 来源:

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中,带电的人体都用100皮法(pF)电容器及1500欧姆的放电电阻来模拟。在测试过程中,电容会充电到数千伏(常见的是2kV、4kV、6kV及8kV),再借由电阻串联到被测器件进行放电。典型的HBM波形有2至10纳秒的上升时间、每千伏特0.67安培的电流,及200纳秒脉冲宽度的双重指数信号衰减波形。如果带电人体通过其手持的小金属物件,如钥匙、螺丝刀等对其他物体产生的放电称为人体-金属ESD模型,与典型的人体放电模型有明显的差别。人体-金属ESD产生的放电电流的峰值一般要比人体ESD大5~7倍。原因是金属物件的电极效应使得人体放电的等效电阻***变小。静电保护元件可提供多种封装形式。北京低压电源线ESD保护元件封装

静电保护元件被广泛应用于HDMI接口、便携式视频设备、LCD等离子电视、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系统、便携设备(PDA、DSC、蓝牙)、打印机接口、卫星接收器、DVI、天线等进而改善对敏感电子元件的保护。注意事项编辑 播报1.传输速率,也就是电容量的控制,现在随着工艺的不断完善,电容量越做越低。2.符合测试要求的标准,不是越高越好,而是适合自已的产品,例如:空气放电15KV 接触 8KV。3.设计时考虑PCB板的空间条件。4.安全考虑,yint公司首席技术经理,说过一句很经典的话,在电路中,假如非万不得已不要增加多余的器件,每增加一个,就是增加失效风险,保护的器件也不例外。ESD器件作为保护器件,它也有失效益机率,所以设计选型时尽量找些资质比较好的供应商。北京低压电源线ESD保护元件封装ESD静电保护元件具有单向和双向之分。

降低防护器件结电容的设计方法当防护器件的并联结电容较大时,将对高频信号产生“衰耗”作用,此时需要改进防护电路的设计,降低结电容对信号质量的影响。常用的设计方法有;A二极管偏置法二极管结电容随反向偏升高而降低,对防护一极管施加话当的反向偏压可适用更高频率电路。B.二极管串联法一-两个相同防护二极管串联可使接入电容减小一半。C阻抗匹配法一-当防护二极管的结电容太大,可以对防护器件并联小电感,使之和二极管结电容并联谐振在工作信号频率点,这时保护电路对工作频率呈高阻抗,从而减小对高频电路四配的影响,并有利于加强防护。

TVS/ESD静电保护元件阵列,ESD静电保护元器件RLESD保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到ESD的。可提供非常低的电容,与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数(高达1000)之后。该器件可比传统的聚合物SEO器件提供更低的触发电压和更低的箝拉电压,进而改善对敏感电子元件的保护。静电保护元件(ElertroStaticDischargedProtection)简称ESD,是一种过压保护元件,是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。RLESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可提供非常低的电容,具有优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数高达1000之后,进而改善对敏感电子元件的保护。 硅基ESD静电保护元件具有较低的钳位电压。

MOV具有ns级的快速响应,但是结电容一般在数十pF以上;GDT具有pF级以下的结电容,但是响应时间在数百ns以上;TSS的响应速度很快,可达ps级,其结电容一般也在数十pF以上;TVS的响应速度很快,可达ps级,其结电容目前比较低可以做到儿个pF;快速开关二极管的响应速度与TVS相同,其结电容可达到1pF以下。可见,MOV、GDT和TSS都不能用于高频电路的ESD防护;TVS可以直接使用在数百MHz的信号接口进行ESD防护,当用于GHz以上的信号接口必须采用降低结电容的措施:低容值的快速开关二极管可以直接或采用降低结电容的优化措施后用于数GHz的信号接口。ESD静电保护元件一般并联在电流中使用。北京低压电源线ESD保护元件封装

硅基ESD保护器件的结电容与其工作电压成反比关系。北京低压电源线ESD保护元件封装

静电是物体表面过剩或不足的静止电荷,是通过电子或离子的转移而形成的。一般固体静电电压可以达到20万伏以上,液体静电电压可以达到数万伏以上,人体静电电压可以达到1万伏以上。一般工业生产中,静电具有高电位、低电量、小电流和作用时间短的特点,设备或人体上的静电位比较高可达数万伏以至数千万伏。静电较之流电受环境条件,特别是湿度的影响比较大;静电测量时复现性差、瞬态现象多。测量静电是为静电防护工程设计和改善产品自身抗静电性能设计,提供数据和依据。北京低压电源线ESD保护元件封装

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