福建P4KETVS批发

时间:2023年07月14日 来源:

9)R-6/P600封装:3KP系列(3000W)、5KP系列(5000W)、LDP系列(6000W)、15KP系列(15000W)、30KP系列(30000W);10)NA封装:蓝宝宝浪涌抑制器KA系列;1)DO-218AB封装:SM5S系列(3600W)、SM6S系列(4600W)、SM8S系列(6600W)、SM8T系列(6600W);4)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC系列(1500W)、SMCJ系列(1500W)、TPSMCJ系列(1500W)、SMDJ系列(3000W)、TPSMDJ系列(3000W)、5.0SMDJ系列(5000W)、TP5.0SMDJ系列(5000W)。600W的TVS产品一般贴片为SMB封装或者插件DO-15封装。福建P4KETVS批发

当 PN 结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加,直到与半导体晶格发生碰撞,碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞,如果平均每个电子(或空穴)在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对,那么该过程可以不断被加强,**终达到耗尽区载流子数目激增,PN 结发生雪崩击穿。江西SM8STVSSMA来明电子在电路保护行业深耕数十年,具有丰富的经验。

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA,相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少,但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态,此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下,当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时,它在极短的时间内(比较高可达到1×10-12秒)迅速转入反向导通状态,并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上,从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。车规级TVS的制作工艺更加严格,一般要用车规级的硅片。

在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间*为1ps(10^-12S)。TVS允许的正向浪涌电流在T=25℃,T=10ms条件下,可达50~200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。来明电子可提供批量TVS产品,具有较高的性价比。江西SM8STVSSMA

当超过TVS的承受能力的能量通过TVS,TVS的芯片哟可能发热二击穿,从而呈现出短路的失效模式。福建P4KETVS批发

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装:分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W;②其它系列名表示同轴引线封装:P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W,SA为500W、3KP为3000W,其余类推(型号名KP或KPA前面的数字表示kW数)。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值(VBR);②其它系列中**反向断态电压值(VRWM)。A表示单向,CA表示双向。注意:SAC(500W)、LCE(1500W)系列是低电容的TVS管,只有单向,没有双向。福建P4KETVS批发

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