北京测温热敏电阻测试

电容引起的浪涌电流计算：比如在输入电压V为220Vac，整个电路内阻（含整流桥和滤波电容）Rs=1Ω，若正好在电源输入波形达到90度相位的时候开机，那么开机瞬间浪涌电流的峰值将达到：I=（220×1.414）/1≈311（A）这个浪涌电流虽然时间很短（mS级），但如果不加以抑制，会减短输入电容和整流桥的寿命，还可能造成输入电源电压的降低，让使用同一输入电源的其它电源设备瞬间掉电，对临近设备的正常工作产生干扰。我们在选用功率型NTC热敏电阻针对滤波电容引起的浪涌电流保护时，需要选择什么样参数的功率型NTC热敏电阻呢？这里面还是有一些知识点的，我们建议从R25阻值、比较大稳态电流、允许比较大电容（焦耳能量）等几个方面对功率型NTC热敏电阻的参数进行选择。寿命是NTC热敏电阻的一个重要性能，与精度、灵敏度等其他参数存在辩证关系。北京测温热敏电阻测试

环境温度对高分子PTC热敏电阻的影响高分子PTC热敏电阻是一种直热式、阶跃型热敏电阻，其电阻变化过程与自身的发热和散热情况有关，因而其维持电流（ihold）、动作电流（itrip）及动作时间受环境温度影响。当环境温度和电流处于a区时，热敏电阻发热功率大于散热功率而会动作；当环境温度和电流处于b区时发热功率小于散热功率，高分子PTC热敏电阻由于电阻可恢复，因而可以重复多次使用。图6为热敏电阻动作后，恢复过程中电阻随时间变化的示意图。电阻一般在十几秒到几十秒中即可恢复到初始值1.6倍左右的水平，此时热敏电阻的维持电流已经恢复到额定值，可以再次使用了。面积和厚度较小的热敏电阻恢复相对较快；而面积和厚度较大的热敏电阻恢复相对较慢。北京测温热敏电阻测试对于某一个具体的功率型NTC热敏电阻来说，所能承受的比较大焦耳能量已经确定了。

非线性PTC效应经过相变的材料会呈现出电阻沿狭窄温度范围内急剧增加几个至十几个数量级的现象，即非线性PTC效应，相当多种类型的导电聚合体会呈现出这种效应，如高分子PTC热敏电阻。这些导电聚合体对于制造过电流保护装置来说非常有用。高分子PTC热敏电阻用于过流保护，高分子PTC热敏电阻又经常被人们称为自恢复保险丝（下面简称为热敏电阻），由于具有独特的正温度系数电阻特性，因而极为适合用作过流保护器件。热敏电阻的使用方法象普通保险丝一样，是串联在电路中使用。

NTC温度传感器是一种热敏电阻、探头，其原理为：电阻值随着温度上升而迅速下降。其通常由2或3种金属氧化物组成,混合在类似流体的粘土中，并在高温炉内锻烧成致密的烧结陶瓷。实际尺寸十分灵活，它们可小至0.010英寸或很小的直径。比较大尺寸几乎没有限制，但通常适用半英寸以下。NTC温度传感器定义:NTC热敏电阻、探头组(合)件.一种用热敏电阻外壳，延长引线，有时还用了一个接头组合而成的成品热敏电阻组(合)件。结构一般由NTC热敏电阻、探头(金属壳或塑胶壳等,延长引线,及金属端子或连端器组成,原理,温度传感器,利用NTC热敏电阻在一定的测量功率下，电阻值随着温度上升而迅速下降。利用这一特性,可将NTC热敏电阻通过测量其电阻值来确定相应的温度，从而达到检测和控制温度的目的。功率NTC热敏电阻器，是一种大功率的圆片式热敏电阻器，常用于有电容器、加热器和马达启动的电子电路中。

负温度系数（NTC）热敏电阻是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料。该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（NTC）的热敏电阻．其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化。还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为**的非氧化物系NTC热敏电阻材料。NTC热敏半导瓷大多是尖晶石结构或其他结构的氧化物陶瓷，具有负的温度系数，电阻值可近似表示为：R(T)=R(T0)*exp(Bn(1/T-1/T0))，式中R(T)、R(T0)分别为温度T、T0时的电阻值，Bn为材料常数。陶瓷晶粒本身由于温度变化而使电阻率发生变化，这是由半导体特性决定的。汽车应用NTC一般使用圆片、玻璃封装薄片产品用于温度监测和控制气流及浸没应用。北京测温热敏电阻测试

热敏电阻的使用方法象普通保险丝一样，是串联在电路中使用。北京测温热敏电阻测试

NTC负温度系数热敏电阻构成NTC（NegativeTemperatureCoefficient）是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料．该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（NTC）的热敏电阻．其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化．现在还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为**的非氧化物系NTC热敏电阻材料。NTC热敏半导瓷大多是尖晶石结构或其他结构的氧化物陶瓷，具有负的温度系数，电阻值可近似表示为：式中RT、RT0分别为温度T、T0时的电阻值，Bn为材料常数．陶瓷晶粒本身由于温度变化而使电阻率发生变化，这是由半导体特性决定的。北京测温热敏电阻测试

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