规格书WILLSEMI韦尔WSB5518W
WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计，如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离，并与各种标准兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每个开关都是双向的，对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号（480Mbps）并保持信号完整性。
特性：
D+/D-上的特殊电路设计，使设备能够承受VBUS短路到D+或D-，无论USB设备是关闭还是开启。
SEL/OE引脚具有过压保护，允许电压高于VCC，高达7.0V存在于引脚上，而不会损坏或中断部件的操作，无论工作电压如何。
还具有智能电路，用于至小化VCC泄漏电流，即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说，在实际应用中，无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。
应用：
· 手机
· MID（移动设备）
· 路由器
· 其他电子设备
WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关，适用于手持和消费电子产品，确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性，环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 WD1502F-6/TR DC-DC电源芯片 封装：TSOT-23-6L。规格书WILLSEMI韦尔WSB5518W
ESD73011N：单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。
其主要特性包括：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.40pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域包括：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 规格书WILLSEMI韦尔WNM3013ASPD8811B-2/TR 半导体放电管（TSS） 封装：SMB。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
截止电压：±3.3VMax
根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）
根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）
极低电容：CJ=0.2pFtyp
低漏电流
低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害，适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备，紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。
ES9DN12BA瞬态电压抑制器
ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性：
· 截止电压：±12V。
· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）
· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）
· 典型电容：CJ=27pF
· 极低泄漏电流：IR=0.1nA
· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。
· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。
应用：
· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。
· 手机
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046B-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。
ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。
特性：
· 极低电容：CJ=0.5pFtyp
· 极低漏电流：IR<1nAtyp
· 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
· 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护
· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准，可承受4A（8/20μs）的浪涌电流
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护，使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比，ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流，以及更低的箝位电压，从而提供了更好的性能。此外，其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口，ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM3003-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔WPM1485
ESDA6V8AV5-5/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-553。规格书WILLSEMI韦尔WSB5518W
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚具有过压保护功能，允许引脚上的电压超过VCC，至高可达7.0V，而不会损坏部件或影响其操作，无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路，以至小化VCC泄漏电流，即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之，在实际应用中，无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装，标准产品为无铅和无卤素。
特性：
· 电源电压：1.5~5.5V
· 导通电阻：在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB
· 带宽：在CL=5pF时为400MHz
· 断开隔离度：在10MHz时为-69dB
· 低静态电流：<1uA
· 先断后合功能ESD保护：HBM为±8000V，MM为±600V
应用领域：
· 手机
· MID（移动互联网设备）
· 其他便携式设备
WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案，适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WSB5518W
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