厦门高线性度电流传感器供应商

    生成表示运算结果的输出信号sout。第3运算部33将输出信号sout作为电流传感器1对电流i的检测结果从输出端子输出。第3运算部33是本实施方式中的电流传感器1的输出部的一例。在本实施方式中，通过如以上那样的两个磁传感器11、12和第1～第3运算部31～33的连接关系，使得容易确保电流传感器1中的外部磁场耐性(详情后述)。此外，两个磁传感器11、12和运算装置3在如图2所示的电流传感器1中例如配置在同一封装件内。两个磁传感器11、12例如配置在一个集成芯片内。通过将两个磁传感器11、12在同一芯片内接近配置，从而能够提高外部磁场在空间上不均匀的情况下的外部磁场耐性。进而，在电流传感器1的周围温度存在梯度的情况下，能够抑制相对于磁传感器11、12间的温度的磁电变换增益偏差，能够提高外部磁场耐性。第1以及第2运算部31、32例如在电流传感器1内部在同一集成芯片内接近配置。由此，在电流传感器1的周围温度存在梯度的情况下，能够抑制相对于第1以及第2运算部31、32间的温度的增益偏差，能够提高外部磁场耐性。可设想在磁传感器11、12与运算装置3之间存在环形布线的情况下，交流的外部磁场发生交链而产生电动势，由此导致电流的检测误差。相对于此。在霍尔元件的输出端产生一个电势，该电势的波形与输入电流一致。厦门高线性度电流传感器供应商

磁传感器11例如通过电源电压vdd进行恒压驱动。各个磁阻元件13a～13d例如为amr(anisotropicmagnetoresistance，各向异性磁阻)元件。在本例中，四个磁阻元件13a～13d之中的第1以及第2磁阻元件13a、13b的串联电路、和第3以及第4磁阻元件13c、13d的串联电路被并联连接。第1以及第4磁阻元件13a、13d具有相对于输入到磁传感器11的磁场而增减倾向相同的磁阻值mr1、mr4。第2以及第3磁阻元件13b、13c具有增减倾向与第1以及第4磁阻元件13a、13d的磁阻值mr1、mr4相反的磁阻值mr2、mr3。磁传感器11的电源电压vdd被供给至第1以及第3磁阻元件13a、13c间的连接点。第2以及第4磁阻元件13b、13d间的连接点被接地。第1以及第2磁阻元件13a、13b间的节点14p与两个传感器信号s1p、s1m之中的一个传感器信号s1p的输出端子连接。第3以及第4磁阻元件13c、13d间的节点14m与另一个传感器信号s1m的输出端子连接。各节点14p、14m的电位例如以vdd/2为中点电位而变动。以上的磁传感器11的结构为一例，不特别限定于此。例如，磁传感器11、12的磁阻元件13a～13d不限于amr元件，也可以是例如gmr(giantmagnetoresistance，巨磁阻)、tmr(tunnelmagnetoresistance，隧道磁阻)、bmr(balisticmagnetoresistance。成都磁调制电流传感器厂家现货适用于交流和直流测试。

    具有固有的灵敏度轴以及磁电变换增益。磁传感器11、12对沿着灵敏度轴的方向的磁场进行感测，并按照磁电变换增益将感测到的磁场变换为电信号(即传感器信号)。各个磁传感器11、12例如配置为灵敏度轴的方向适当地在容许误差的范围内与x方向平行。在本实施方式中，两个磁传感器11、12分别具备用于差动输出的两个输出端子。关于磁传感器11、12的结构的详情在后面叙述。如图2所示，磁传感器11从各输出端子输出传感器信号s1p、s1m。由于电流i如图1的例子那样流动而产生的信号磁场变得越大，则传感器信号s1p越增大。传感器信号s1m具有与传感器信号s1p相反的增减倾向。本实施方式中的磁传感器11是生成传感器信号s1p作为第1传感器信号并生成传感器信号s1m作为第2传感器信号的第1磁传感器的一例。如图2所示，磁传感器12从各输出端子输出传感器信号s2p、s2m。传感器信号s2p与第1磁传感器11的传感器信号s1p同样地具有根据图1的例子的电流i而增大的倾向。传感器信号s2m具有与传感器信号s2p相反的增减倾向。本实施方式中的磁传感器12是生成传感器信号s2m作为第3传感器信号并生成传感器信号s2p作为第4传感器信号的第2磁传感器的一例。

    图5示出了如图4那样信号磁场b1、b2输入到各磁传感器11、12的情况下的电流传感器1的动作状态。在输入了图4的信号磁场b1、b2时，在磁传感器11中，节点14p(图3)的电位变得比中点电位vdd/2高，另一方面，节点14m的电位变得比中点电位vdd/2低。两个磁传感器11之中的一个磁传感器11如下式(1)、(2)那样生成两个传感器信号s1p、s1m。s1p＝vdd/2+δs1/2…(1)s1m＝vdd/2-δs1/2…(2)在上式(1)、(2)中，δs1是磁传感器11的传感器信号s1p、s1m间的信号差。信号差δs1例如在输入了图4的例子的信号磁场b1的情况下成为正。此外，与上述的磁传感器11同样地，另一个磁传感器12如下式(3)、(4)那样生成两个传感器信号s2p、s2m。s2p＝vdd/2+δs2/2…(3)s2m＝vdd/2—δs2/2…(4)在上式(3)、(4)中，δs2是磁传感器12的传感器信号s2p、s2m间的信号差。信号差δs2例如在输入了图4的例子的信号磁场b2的情况下成为正。在运算装置3中，第1运算部31输入来自一个磁传感器11的传感器信号s1p和来自另一个磁传感器12的传感器信号s2m，并如下式(5)那样对传感器信号s1p、s1m间的减法进行运算。so1＝a1×(s1p-s2m)…(5)＝a1×(δs1+δs2)/2…(5a)在上式(5)中，a1是第1运算部31的增益，例如是1倍以上。上式。总之，电流传感器在多个领域都有广泛的应用。

    如直流、交流、脉冲、三角波形等，甚至对瞬态峰值电流、电压信号也能忠实地进行反映;2.响应速度快：**快者响应时间只为1us。3.测量精度高：其测量精度优于1%，该精度适合于对任何波形的测量。普通互感器是感性元件，接入后影响被测信号波形，其一般精度为3%~5%，且只适合于50Hz正弦波形。4.线性度好：优于5.动态性能好：响应时间快，可小于1us;普通互感器的响应时间为10~20ms。6.工作频带宽：在0~100KHz频率范围内的信号均可以测量。7.可靠性高，平均无故障工作时间长：平均无故障时间>510小时8.过载能力强、测量范围大：0---几十安培~上万安培9.体积小、重量轻、易于安装。由于霍尔电流电压传感器以上的优点，故而可广泛应用与变频调速装置、逆变装置、UPS电源、逆变焊机、电解电镀、数控机床、微机监测系统、电网监控系统和需要隔离检测电流电压的各个领域中。大口径,开口型电流传感器，交直两用性能指标：*执行标准：IEC688：1992，QB*输入范围：0~800A内可选如0~100A，0~500A等*精度等级：≤*线性度：优于*响应时间：≤1Us*频率特性：0~100KHz霍尔电流传感器*失调电压：≤20mV*温度特性：≤150PPM/℃。以便初级侧可以获得额定电流，避免过电压和过电流。兰州计量级电流传感器厂家现货

随着科学技术的不断进步，未来还将有更新的技术和产品出现。厦门高线性度电流传感器供应商

    在另一个输入端子与磁传感器12的传感器信号s2m的输出端子连接。第1运算部31a与实施方式1同样地利用增益a1将所输入的信号s1p、s2p相加来生成第1运算信号so1。第2运算部32a同样地利用增益a2，将所输入的信号s1m、s2m相加来生成第2运算信号so2。第3运算部33对第1以及第2运算信号so1、so2进行与实施方式1同样的运算，算出输出信号sout。由此，输出信号sout与式(7a)同样地算出。如以上那样，在本变形例涉及的电流传感器1c中，配置两个磁传感器11、12，使得在感测到反相的信号磁场b1、b2(参照图4)的情况下，传感器信号s1p和传感器信号s2p具有相同的增减倾向。第1运算部31将传感器信号s1p以及传感器信号s2p相加。第2运算部32将传感器信号s1m以及传感器信号s2m相加。通过以上的电流传感器1d，也能够降低外部磁场所造成的影响。此外，在上述的各实施方式中，作为安装电流传感器1的导体的一例，对图1的汇流条2进行了说明，但不特别限于此，也可以使用各种各样的导体。关于流过电流传感器1的检测对象的电流的导体的变形例，利用图11、12进行说明。图11示出具有流过电流的两个流路21、22的导体2a的变形例1。图11示出了本变形例的导体2a的俯视图。关于本变形例的导体2a，在长度方向。厦门高线性度电流传感器供应商

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