天津国产替代电流传感器联系方式

时间:2024年03月15日 来源:

无锡纳吉伏公司基于铁磁材料的三折线分段线性化模型,对自激振荡磁通门传感器起振原理及数学模型进行推导,并探讨了其在直流测量及交直流检测的适应性,针对自激振荡磁通门传感器的各项性能指标,包括线性度、量程、灵敏度、带宽、稳定性等进行了较为深入的研究。(2)结合传统电流比较仪闭环结构,设计了基于双铁芯结构自激振荡磁通门传感器的新型交直流电流传感器,并对其解调电路进行相应改进。通过磁势平衡方程及相关电路理论,分析了改进结构及解调电路对传统单铁芯自激振荡磁通门传感器线性度的影响。并通过构建新型交直流电流传感器稳态误差数学模型,明确了交直流稳态误差与传感器电路设计参数及双铁芯结构零磁通交直流检测器之间的定性关系,为新型交直流电流传感器参数优化设计奠定了理论基础。结合电子补偿式交流比较仪及自平衡式直流比较仪的结构建立闭环交直流电流传感器。天津国产替代电流传感器联系方式

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罗氏线圈:罗氏线圈是一种非侵入式电流传感器,由于其无磁饱和现象,具有很宽的测量范围。罗氏线圈通常用于测量交流、直流和瞬态电流,且适用于大电流、高电压以及复杂电流分布的情况。此外,罗氏线圈具有响应时间快、线性好、稳定性高、可测量高频电流等优点。 电流互感器:电流互感器是一种常见的电力设备,用于将高电压、大电流转换为低电压、小电流,以便于测量和保护。电流互感器通常用于电力系统中的电流测量和保护,具有测量范围广、精度高、稳定性好等优点。但是,电流互感器不适用于测量瞬态电流和变频电流。无锡低温漂电流传感器RTD 型磁通门传感器工作时,磁芯由于激励磁场周期性地交替变化,磁芯处于双向过饱和状态。

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开关电源中需要检测的电流既有直流电流,又有交流电流,在一些情况下会产生很大的脉冲电流,脉冲电流分量在电源系统中存在时间短,但是因为具有极大的峰值会对电源中的各个元器件造成不可修复的损害。为了有效的防止脉冲电流对开关电源系统造成的损害,必须有效快速的检测脉冲电流。与此同时还需要对开关电源中正常工作时的交直流电流进行精确的测量,以保证对电源系统中的工作状态的控制。实际的电源系统中,脉冲电流要比正常工作状态下的交直流电流高出许多,甚至相差几个数量级,一般的电流传感器不能既保证对正常状态下的交直流的测量精度,同时又可以快速精确的测量突发的脉冲电流,所以研究可以同时测量脉冲电流和正常工作电流的电流传感器具有非常实用的意义。

G1为基于双铁芯结构的交直流零磁通检测器的传递函数,G2为PI比例积分放大电路的传递函数,G3为PA功率放大电路的传递函数,G4为电流反馈模块的传递函数,G5为感应纹波噪声传递函数,NF为负反馈环节传递函数。根据图3-3,由自动控制系统相关理论,可得反馈绕组中反馈电流IF与一次绕组中一次电流IP之间的传递函数为:IS(s)IP(s)NPG1G2G3G4+NPG4G51+NFG1G2G3G4(3-12)交直流零磁通检测器输入信号为一次绕组WP与反馈绕组WF在铁芯C1及C2中的磁势之差,终输出信号为合成电压信号VR12。根据上述关系,可推导交直流直流零磁通检测器的传递函数G1为:G1=SD==-(3-13)式(3-13)与自激振荡磁通门传感器灵敏度SD公式(2-48)一致。G2的传递函数常通过比例环节及积分环节的特征参数表示:(1)G2=-KPI|1+|(3-14)(jwτ1)提出了基于自激振荡磁通门原理结合磁积分器原理的交直流电流检测方法。

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然交流比较仪和直流比较仪均不适宜直接用于交直流电流测量,但在电流检测方法、电磁理论分析与结构设计上对于交直流电流测量具有宝贵的借鉴意义,交直流电流比较仪及交直流电流传感器的闭环测量系统,均基于上述交流比较仪及直流比较仪的系统组成及结构,其中磁调制方法广泛应用于精密电流测量领域。因此,本文对磁调制方法在于交直流电流检测中的应用做进一步研究,从而完成交直流电流传感器研制。国外较早进行交直流检测研究的是加拿大的EddySo教授,1993年共同提出了开口式高精度交直流电流测量方法。激磁电流出现直流分量及偶次谐波这一特征,研制出基于单铁芯电压型磁调制式交直流电流传感器。上海零磁通电流传感器哪家便宜

磁阻效应传感器是根据磁性材料的磁阻效应制成的。天津国产替代电流传感器联系方式

新型交直流传感器的误差影响因素包括: 误差控制电路比例环 节比例系数 KPI 、积分环节的积分时间常数 τ1 、反馈绕组 WF  的复阻抗 ZF 、激磁绕组匝 数 N1、反馈绕组匝数 NF、终端测量电阻 RM 及采样电阻 RS1。通过减小终端测量电阻 RM   阻值, 降低激磁绕组匝数 N1 ,增大采样电阻 RS1  阻值, 及增大各个放大电路开环增益均 可降低新型交直流电流传感器的稳态误差。传统铁磁元件分析过程中常见的影响因素, 系统的磁性误差, 如外界电磁干扰、绕组绕线的不均匀性导致的漏磁通及铁磁元件本身 漏磁通的影响, 以及一次绕组偏心导致的一次绕组磁势不对称所带来的误差, 在系统建模中未以考虑。 另外, 系统的容性误差, 如绕组匝与匝之间的匝间电容, 不同绕组之间 的寄生电容, 在一定程度上对系统的误差也有影响。天津国产替代电流传感器联系方式

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