深圳硅HJT电池板块

高效HJT电池为对称的双面结构，主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。釜川，以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。HJT整线解决商， HJT装备与材料：包含制绒清洗设备、PECVD设备、PVD设备、金属化设备等。 电镀铜设备：采用金属铜完全代替银浆作为栅线电极，具备低成本、高效率等优势。HJT电池是高效晶体硅电池的一种，具有高效率、低衰减、耐高温等优点。深圳硅HJT电池板块

“零界”高效异质结电池整线制造解决方案已实现设备国产化，该解决方案叠加了双面微晶、无银或低银金属化工艺，提升了太阳能电池的转换效率、良率和产能，并极大降低了生产成本。釜川以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面的有独特优势；以高效加工制造、快速终端交付的能力，为客户提供整线工艺设备的交付服务。苏州0bbHJT镀膜设备釜川自主研发的“零界”高效HJT电池整线制造解决方案已实现设备国产化。

HJT电池生产设备，本征非晶硅薄膜沉积（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面处存在复合活性高的异质界面，是由于界面处非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的悬挂键会成为复合中心，因此需要进行化学钝化；化学钝化主要由氢钝化非晶硅薄膜钝化层来完成，将非晶硅薄膜中的缺陷和界面悬挂键饱和来减少复合性缺陷态密度。掺杂非晶硅薄膜沉积场钝化主要在电池背面沉积同型掺杂非晶硅薄层形成背电场，可以削弱界面的复合，达到减少载流子复合和获取更多光生载流子的目的；掺杂非晶硅薄膜一般采用与沉积本征非晶硅膜层相似的等离子体系统来完成；p型掺杂常用的掺杂源为硼烷(B2H6)混氢,或者三甲基硼(TMB)；n型掺杂则用磷烷混氢（PH3)。优越的表面钝化能力是获得较高电池效率的重要条件，利用非晶硅优异的钝化效果，可将硅片的少子寿命大幅度提升。

制备种子层的主要作用为提升栅线与 TC+C68:C69O 层之间的导电性和附着力。由于 HJT 电 池电极接触透明导电薄膜（TCO 层），会存在电镀金属与 TCO 层之间吸附力较差的问 题，通常借鉴半导体行业的方案，在电镀金属与 TCO 层之间制备整面“种子层”、掩膜电 镀后去除掩膜蚀刻未电镀部分种子层来解决附着力的问题。釜川（无锡）智能科技有限公司，以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势；以高效加工制造、快速终端交付的能力，为客户提供整线工艺设备的交付服务。HJT电池是高效晶体硅电池的一种，具有高效率、低成本、长寿命等优势。

HJT太阳能电池使用晶体硅片进行载流子传输和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅层进行钝化和结的形成。顶部电极由透明导电氧化物（TCO）层和金属网格组成。异质结硅太阳能电池已经吸引了很多人的注意，因为它们可以达到很高的转换效率，可达26.3%，相关团队对HJT极限效率进行更新为28.5%，同时使用低温度加工，通常整个过程低于200℃。低加工温度允许处理厚度小于100微米的硅晶圆，同时保持高产量。异质结电池转换效率高，拓展潜力大，工艺简单并且降本路线清晰，契合了光伏产业发展的规律，是有潜力的下一代电池技术。HJT电池是一种高效、可靠、环保的能源转换技术，具有广泛的应用前景和市场前景。苏州0bbHJT镀膜设备

HJT电池结合钙钛矿技术，HJT电池更展现出极大的潜力，成为潜力很大的太阳能电池技术。深圳硅HJT电池板块

HJT电池具备光电转化效率提升潜力高、更大的降成本空间、更高的双面率、可有效降低热损失、更低的光致衰减、制备工艺简单等特点，为光伏领域带来了新的希望。釜川（无锡）智能科技有限公司，以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势；以高效加工制造、快速终端交付的能力，为客户提供整线工艺设备的交付服务。深圳硅HJT电池板块