云南双靶磁控溅射用途

影响磁控溅射镀膜结果的因素：1、溅射功率的影响,在基体和涂层材料确定的情况下,工艺参数的选择对于涂层生长速率和涂层质量都有很大的影响.其中溅射功率的设定对这两方面都有极大的影响.2、气压的影响,磁控溅射是在低气压下进行高速溅射,为此需要提高气体的离化率,使气体形成等离子体.在保证溅射功率固定的情况下,分析气压对于磁控溅射的影响。磁控溅射镀膜的产品优点：1、几乎所有材料都可以通过磁控溅射沉积,而不论其熔化温度如何;2、可以根据基材和涂层的要求缩放光源并将其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉积合金和化合物的薄膜,同时保持与原始材料相似的组成。溅射可连续工作，镀膜过程容易自动控制，工业上流水线作业。云南双靶磁控溅射用途

在各种溅射镀膜技术中，磁控溅射技术是较重要的技术之一，为了制备大面积均匀且批量一致好的薄膜，釆用优化靶基距、改变基片运动方式、实行膜厚监控等措施。多工位磁控溅射镀膜仪器由于其速度比可调以及同时制作多个基片，效率大幅度提高，被越来越多的重视和使用。在实际镀膜中，有时靶材料是不宜中间开孔的，而且对于磁控溅射系统，所以在实际生产中通过改变靶形状来改善膜厚均匀性的方法是行不通的。因此找到一种能改善膜厚均匀性并且可行的方法是非常有必要且具有重要意义的。安徽智能磁控溅射仪器磁铁有助于加速薄膜的生长，因为对原子进行磁化有助于增加目标材料电离的百分比。

真空磁控溅射镀膜工艺具备以下特点：1、基片温度低。可利用阳极导走放电时产生的电子，而不必借助基材支架接地来完成，可以有效减少电子轰击基材，因而基材的温度较低，非常适合一些不太耐高温的塑料基材镀膜。2、磁控溅射靶表面不均匀刻蚀。磁控溅射靶表面刻蚀不均是由靶磁场不均所导致，靶的局部位置刻蚀速率较大，使靶材有效利用率较低（只20％-30％的利用率）。因此，想要提高靶材利用率，需要通过一定手段将磁场分布改变，或者利用磁铁在阴极中移动，也可提高靶材利用率。

高速率磁控溅射本质特点是产生大量的溅射粒子，导致较高的沉积速率。实验表明在较大的靶源密度在高速溅射，靶的溅射和局部蒸发同时发生，两种过程的结合保证了较大的沉积速率（几μm/min）并导致薄膜的结构发生变化。与通常的磁控溅射比较，高速溅射和自溅射的特点在于较高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2，（Pd为磁控靶功率，S为靶表面积）。高速溅射有一定的限制，因此在特殊的环境才能保持高速溅射，如足够高的靶源密度，靶材足够的产额和溅射气体压力，并且要获得较大气体的离化率。较大限制高速沉积薄膜的是溅射靶的冷却。溅射是指荷能颗粒轰击固体表面，使固体原子或分子从表面射出的现象。

真空磁控溅射镀膜工艺具备以下特点：1、沉积速率大。由于采用高速磁控电极，可获得的离子流很大，有效提高了此工艺镀膜过程的沉积速率和溅射速率。与其它溅射镀膜工艺相比，磁控溅射的产能高、产量大、于各类工业生产中得到普遍应用。2、功率效率高。磁控溅射靶一般选择200V-1000V范围之内的电压，通常为600V，因为600V的电压刚好处在功率效率的较高有效范围之内。3、溅射能量低。磁控靶电压施加较低，磁场将等离子体约束在阴极附近，可防止较高能量的带电粒子入射到基材上。磁控溅射属于辉光放电范畴，利用阴极溅射原理进行镀膜。安徽直流磁控溅射

磁控溅射的优点：膜的牢固性好。云南双靶磁控溅射用途

磁控溅射包括很多种类，各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。磁控反应溅射绝缘体看似容易，而实际操作困难。主要问题是反应不光发生在零件表面，也发生在阳极，真空腔体表面以及靶源表面，从而引起灭火，靶源和工件表面起弧等。国外发明的孪生靶源技术，很好的解决了这个问题。其原理是一对靶源互相为阴阳极，从而消除阳极表面氧化或氮化。云南双靶磁控溅射用途

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