黑龙江瞬变抑制二极管销售代理
电力网供给用户的是交流电,而各种无线电装置需要用直流电。整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。下面介绍利用晶体二极管组成的各种整流电路。变压器砍级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内,e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通,e2通过它加在负载电阻Rfz上,在π~2π 时间内,e2为负半周,变压器次级下端为正,上端为负。这时D承受反向电压,不导通,Rfz,上无电压。在π~2π时间内,重复0~π 时间的过程,而在3π~4π时间内,又重复π~2π时间的过程…这样反复下去,交流电的负半周就被"削"掉了,只有正半周通过Rfz,在Rfz上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的,但是,负载电压Usc。以及负载电流的大小还随时间而变化,因此,通常称它为脉动直流。品质,信赖之选,深圳市凯轩业科技有限公司,瞬变抑制二极管。黑龙江瞬变抑制二极管销售代理
大体意义上讲,PN结的定义为:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,一般半导体的材料选择为硅或者锗,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。具体介绍PN结的形成大体分为三步,首先扩散运动,P区的空穴浓度远大于N区的自由电子浓度,因此,P区的空穴必然向N区扩散,并与N区中的自由电子复合而消失;同样,N区的自由电子必然向P区漂移,并与P区中的空穴复合而消失。其次是空间电荷区的产生,扩散运动导致了P区一侧失去空穴而留下负离子,N区一侧失去电子而留下正离子,这些不能移动的带电离子称为空间电荷,相应地这个区域称为空间电荷区,较后由于有正离子和负离子,这样在空间电荷区内就会产生一个内电场,内电场的产生让多子的扩散和少子的漂移达到了一个动态平衡,较后形成了PN结。黑龙江瞬变抑制二极管销售代理瞬变抑制二极管就选深圳市凯轩业科技,竭诚为您服务。
二极管的工作原理晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
较基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外,作为保护元件一般使用齐纳二极管,但随着周边电路的精密化、应用微细化,被要求使用更高性能的保护元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。按原子构造来分类,主要分为现在主流的平面型和耐高压的台面型。二极管有各种各样的形装,大体分为插件形和贴片形使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。信赖之选凯轩业科技有限公司,原装瞬变抑制二极管。
早期的二极管也就是半导体的制作工艺是将两个立体的掺杂材料放在一起高温熔接而成,现在的二极管和原来相比只是制作工艺更加精确,让两个相邻的不同掺杂区域组合构成,一个区域是在半导体材料中掺入施主原子产生自由电子的n区域,另一个是掺入受主原子形成有自由空穴的p型区域,两个区域的交界就是二极管的物理结,其电子结包括各区域的狭窄边缘,称为耗尽层也就是上面介绍的PN结,二极管的p型区域为正极,n型区域则相反,大体结构图如下。用户的信赖之选,有想法可以来我司咨询!晶体管设计,就选深圳市凯轩业电子科技。黑龙江瞬变抑制二极管销售代理
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开关电源中常用,快速恢复整流二极管、超快速恢复整流二极管、肖特基整流二极管特点:正向压降低、快速恢复的特点,输出功率较大快速恢复和超快恢复整流二极管具有适中的和较高的正向电压降,压降范围大约是0.8~1.2V。这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。主要在小功率的、输出电压在12V左右的辅助电源电路中使用。肖特基整流二极管在大的正向电流作用下,正向压降也很低,有0.4V左右,而且,随着结温的增加,其正向压降更低。使得肖特基整流二极管特别适用于5V左右的低电压输出电路中。肖特基整流二极管有两大缺点:反向截止电压的承受能力较低,产品大约为100V;反向漏电流较大,使得该器件比其他类型的整流器件更容易受热击穿。黑龙江瞬变抑制二极管销售代理
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