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11、PIN 型二极管（PIN Diode）这是在 P 区和 N 区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN 中的 I 是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过 100MHz 时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把 PIN 二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。 深圳市凯轩业电子有限公司是一家专业设计研发控制芯片，厂家直销，价格优势。黑龙江大规模ESD静电管/放电管
要理解稳压二极管的工作原理，只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向导通。就是说，正向加压导通，反向加压不通。这里有个条件就是反向加压不超过管子的反向耐压值。那么超过耐压值后是什么结果呢?一个简单的答案就是管子烧毁。但这不是全部答案。试验发现，只要限制反向电流值(例如，在管子与电源之间串联一个电阻)，管子虽然被击穿却不会烧毁。而且还发现，管子反向击穿后，电流从大往小变，电压只有很微小的下降，一直降到某个电流值后电压才随电流的下降急剧下降。正是利用了这个特性人们才造出了稳压二极管。哪里有ESD静电管/放电管直销厂家直销，价格优势，专业设计，深圳市凯轩业电子科技有限公司，欢迎来电。
主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA
如此反复,由于两个整流元件D1、D2轮流导电,结果负载电阻Rfz 上在正、负两个半周作用期间,都有同一方向的电流通过,如图5-4(b)所示的那样,因此称为全波整流,全波整流不但利用了正半周,而且还巧妙地利用了负半周,从而较大地提高了整流效率(Usc=0.9e2,比半波整流时大一倍)。图5-3所示的全波整滤电路,需要变压器有一个使两端对称的次级中心抽头,这给制作上带来很多的麻烦。另外,这种电路中,每只整流二极管承受的较大反向电压,是变压器次级电压较大值的两倍,因此需用能承受较高电压的二极管。深圳市凯轩业科技是一家专业控制芯片方案设计公司，欢迎新老客户来电！
桥式整流电路是使用较多的一种整流电路。这种电路,只要增加两只二极管口连接成"桥"式结构,便具有全波整流电路的优点,而同时在一定程度上克服了它的缺点。桥式整流电路的工作原理如下:e2为正半周时,对D1、D3和方向电压,Dl,D3导通;对D2、D4加反向电压,D2、D4截止。电路中构成e2、Dl、Rfz 、D3通电回路,在Rfz ,上形成上正下负的半波整洗电压,e2为负半周时,对D2、D4加正向电压,D2、D4导通;对D1、D3加反向电压,D1、D3截止。电路中构成e2、D2Rfz 、D4通电回路,同样在Rfz 上形成上正下负的另外半波的整流电压深圳市凯轩业科技是一家专业控制芯片方案设计公司，欢迎您的来电喔！安徽新型ESD静电管/放电管
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整流二极管较突出的作用是其能够防止电流倒灌。当整流二极管加上正电压时，正电压起始部分的正电压很小，不能有效克服PN结内电场的阻挡作用。当整流二极管的正电流几乎为零时，这一部分被称为死区，不能引导二极管的正电压称为死区电压。当整流二极管的正电压大于死区电压时，有效克服了PN结内的电场，整流二极管的正电流随着电压的增加而迅速上升。在正常电流范围内，整流二极管端电压几乎保持不变使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。黑龙江大规模ESD静电管/放电管
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