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光电耦合器是一种利用光传输能量的设备，由一个有源部分和一个无源部分组成。有源部分包括一个发射头和一个发射灯，发射头可以发射出光束，而发射灯则可以产生可见光或者红外线。无源部分包括一个检测头和一个检测器，检测头可以检测到发射头发射出的光束，而检测器则可以将检测头检测到的光束转换成电能。当发射头发射出光束时，检测头会检测到光束，检测器会将检测头检测到的光束转换成电能，然后电能会被传输到无源部分的检测器，检测器会将电能转换成电流发送到有源部分，有源部分会将电流转换成电能，从而实现了电能、光能和信号之间的高效耦合。重庆微安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。深圳微安光电计数

光电二极管可以在两种非常不同的模式下工作。光伏模式：像太阳能电池一样，被照亮的光电二极管产生一个可以测量的电压。然而，该电压对光功率的依赖性是非线性，而且动态范围相当小。另外，也没有达到速度。光导模式：在这里，对二极管施加反向电压（即在没有入射光线的情况下二极管不导电的方向施加电压），并测量由此产生的光电流。该反向偏置模式的简单解决方案是基于一个电压源和一个负载电阻。光电流对光功率的依赖性在光功率的六个或更多数量级上可以是非常线性的，例如，对于活性面积为几平方毫米的硅p-i-n光电二极管来说，其范围从几纳瓦到几十毫瓦。反向电压的大小对光电流几乎没有影响，而对暗电流（通常很小）（在没有光的情况下获得）有一些影响。较高的反向电压往往会使反应更快，但也会增加器件的加热，这对高光电流来说是个问题。重庆跨阻光电计数成都纳安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电晶体管是一种将光信号转换成电信号的器件，它的结构类似于双极晶体管，但是在其基区和发射区之间添加了一个光敏材料层。当光照射到光敏材料层时，会产生电子-空穴对，从而引起基区电流的变化。光电晶体管广泛应用于光电测量、光电控制、光电开关等领域。光电阻是一种能够将光信号转换成电阻变化的器件，它的结构类似于普通电阻，但是在其表面涂覆了一层光敏材料。当光照射到光敏材料上时，会改变其电导率，从而产生电阻变化。光电阻广泛应用于光电测量、光电控制、光电开关等领域。唯样,商城自建高效智能仓储，拥有自营库存超100,000种。

光电二极管是经常使用的光电探测器，它在很大程度上已经取代了以前使用的真空光管。它们是含有p-n结的半导体器件，通常在n层和p层之间还有一个内在（未掺杂）层。具有内在层的器件被称为p-i-n或PIN光电二极管。在耗尽区或本征区吸收的光会产生电子-空穴对，其中大部分有助于产生光电流。在很宽的光功率范围内，光电流可以相当精确地与吸收（或入射）的光强度成正比。人们在n掺杂区和p掺杂区之间有一个固有的区域，大部分的电载流子在这里产生。通过电接触（阳极和阴极），可以获得产生的光电流。阳极可以有一个环形，这样光就可以通过孔注入。一个大的活性区域可以通过一个相应的大环来获得，但这往往会增加电容，从而降低检测带宽，并增加暗电流；另外，如果产生的载流子离电极太远，效率可能会下降。四川电流电压转换光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、PIN、PNN(或NPP)、PNIN(或NPIP)、MNN。其中PNN结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是1970年以后出现的，其结构为PPNN，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。重庆紫外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。微安光电信息

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光电耦合器按作用方式可分为两类：一类是通过对发射光和接受光的作用来实现信号的转换；另一类的作用是直接把电能转换成光了（称为全向开关）。（1）半导体光电转换器：包括红外探测器及相应的调制解调系统。红外线探测器用来感受周围环境的热量，并将此信息转化为相应频率的无线电波发送出去；调制解调系统则是根据所收到的无线电台发出的指令来进行解码还原成原来的文字内容再传送给使用者。（2）全方向性发射器/收发两用器：这是一种集成的多功能仪器，它可以发出可见光也可吸收不可见的紫外线或其他射线并将其转化成可利用的能源。深圳微安光电计数