珠海硅管三极管供应商

晶体三极管的种类：硅管和锗管（按半导体材料分），锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。三极管的基本原理是通过控制输入信号的电流，调节输出信号的放大倍数。珠海硅管三极管供应商

晶体管的分类 晶体管的种类很多，按照不同的标准可分为多种类型：按导电方式分有npn型晶体管和 pnp型晶体管；按结构形式分有双极性管（bjt）和三极型晶体管等；按工作电流分有小功率管（小于1a）、大功率管（1~10a）等； 按照用途来分则有普通型和特种型之分：普通型的特点是价格便宜量多且工艺成熟可靠性强应用范围广但随着集成技术的发展它的价格已呈下降趋势 特种型的特点是在特定的条件下其特性曲线发生突变或受环境因素的影响使性能不稳定甚至失效因此这类器件的使用要受到严格的限制 应用于高频小信号处理中的mosfet就属于特种类型的半导体器件.肇庆场效应晶体三极管参考价三极管是一种三端口电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路。

三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。

硅三极管比锗管反向漏电流小，输出特性平直、耐压比较高，温度特性较好。常用型号有：3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3CX系列硅低频管等。高频管和低频管（按特征频率分），特征频率fT小于3MHz的为低频管；大于3MHz的为高频管。目前多用硅材料制成三极管，特征频率一般都大于3MHz，因此高频管和低频管的界线已不那么明显。超高频低噪声管，一般用于超高频、高频放大电路，振荡和混频电路。具有正自动增益的管科用于电视机的前级中放，微波的噪声管科用于微波通信设备坐小信号放大。使用三极管时应注意控制输入信号的幅度和频率，避免超范围和失真现象。

三极管的作用，晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管较基本的和较重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。三极管的作用：代换。图9(d)中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管;图9(e)中的三极管可代用8V左右的稳压管。图9(f)中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时，三极管的基极均不使用。在设计电路时，合理利用三极管的特性，能够实现信号的整形、滤波等复杂功能。徐州超频三极管行价

三极管由基极、发射极和集电极构成，具有放大作用和控制功能。珠海硅管三极管供应商

三极管主要参数，三极管的参数有很多，可以分成三大类：直流参数、交流参数、极限参数。1、直流参数，共发射极直流放大倍数：共发射极电路中，没有交流输入时，集电极电流与基极电流之比；集电极-基极反向截至电流：发射极开路时，集电极上加有规定的反向偏置电压，此时的集电极电流称为集电极-基极反向截止电流；集电极-发射极反向截止电流：又称穿透电流，基极开路时，流过集电极与发射极之间的电流。2、交流参数，共发射极电流放大倍数：三极管接成共发射极放大器时的交流电流放大倍数；共基极放大倍数：三极管接成共基极放大器时的交流电流放大倍数；特征频率：三极管工作频率超过一定程度时，电流放大倍数开始下降，放大倍数下降到1时的频率即为特征频率。3、极限参数，集电极较大允许电流：集电极电流增大时三极管电流放大倍数减小，当放大倍数减小到低中频端电流放大倍数的1/2或1/3时所对引得集电极电流。集电极-发射极击穿电压：三极管基极开路时，集电极与发射极之间的较大允许电压；集电极较大允许耗散功率：三极管因受热而引起的参数变化不超过规定值时，集电极所消耗的较大功率。珠海硅管三极管供应商