湖南陶瓷封装方式

什么情况下采用SIP ?当产品功能越来越多，同时电路板空间布局受限，无法再设计更多元件和电路时，设计者会将此PCB板功能连带各种有源或无源元件集成在一种IC芯片上，以完成对整个产品的设计，即SIP应用。SIP优点：1、尺寸小，在相同的功能上，SIP模组将多种芯片集成在一起，相对单独封装的IC更能节省PCB的空间。2、时间快，SIP模组板身是一个系统或子系统，用在更大的系统中，调试阶段能更快的完成预测及预审。7、简化物流管理，SIP模组能够减少仓库备料的项目及数量，简化生产的步骤。构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。湖南陶瓷封装方式

系统级封装（SiP）技术种类繁多，裸片与无源器件贴片，植球——将焊锡球置于基板焊盘上，用于电气连接，回流焊接（反面）——通过控制加温熔化焊料达到器件与基板间的，键合，塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保护裸片及器件，减薄——通过研磨将多余的塑封材料去除，BGA植球——进行成品的BGA（球栅阵列封装）植球，切割——将整块基板切割为多个SiP成品。通过测试后的芯片成品，将被集成在各类智能产品内，较终应用在智能生活的各个领域。湖南陶瓷封装方式SiP系统级封装以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力，为芯片和器件整合提供了新的可能性。

合封芯片、芯片合封和SiP系统级封装经常被提及的概念。但它们是三种不同的技术，还是同一种技术的不同称呼？本文将帮助我们更好地理解它们的差异。合封芯片与SiP系统级封装的定义，首先合封芯片和芯片合封都是一个意思，合封芯片是一种将多个芯片（多样选择）或不同的功能的电子模块（LDO、充电芯片、射频芯片、mos管）封装在一起的定制化芯片，从而形成一个系统或者子系统。以实现更复杂、更高效的任务。合封芯片可定制组成方式包括CoC封装技术、SiP封装技术等。

SiP 封装优势。在IC封装领域，是一种先进的封装，其内涵丰富，优点突出，已有若干重要突破，架构上将芯片平面放置改为堆叠式封装，使密度增加，性能较大程度上提高，表示着技术的发展趋势，在多方面存在极大的优势特性，体现在以下几个方面。SiP 实现是系统的集成。采用要给封装体来完成一个系统目标产品的全部互联以及功能和性能参数，可同时利用引线键合与倒装焊互连技术以及别的IC芯片堆叠等直接内连技术，将多个IC芯片与分立有源和无源器件封装在一个管壳内。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的优势。

硅中介层具有TSV集成方式为2.5D集成技术中较为普遍的方式，芯片一般用MicroBump与中介层连接，硅基板做中介层使用Bump与基板连接，硅基板的表面采用RDL接线，TSV是硅基板上、下表面的电连接通道，该2.5D集成方式适用于芯片尺寸相对较大的场合，当引脚密度较大时，通常采用Flip Chip方式将Die键合到硅基板中。硅中介层无TSV的2.5D集成结构一般如下图所示，有一颗面积较大的裸芯片直接安装在基板上，该芯片和基板的连接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip两种方式。大芯片上方由于面积较大，可以安装多个较小的裸芯片，但是小芯片无法直接连接到基板，所以需要插入一块中介层，若干裸芯片安装于中介层之上，中介层具有RDL布线可以从中介层边缘引出芯片信号，再经Bond Wire 与基板相连。这种中介层一般无需TSV，只需在interposer的上层布线来实现电气互连，interposer采用Bond Wire和封装基板连接。SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件。湖南陶瓷封装方式

先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。湖南陶瓷封装方式

对于堆叠结构，可以区分如下几种：芯片堆叠、PoP、PiP、TSV。堆叠芯片，是一种两个或更多芯片堆叠并粘合在一个封装中的组装技术。这较初是作为一种将两个内存芯片放在一个封装中以使内存密度翻倍的方法而开发的。 无论第二个芯片是在头一个芯片的顶部还是在它旁边，都经常使用术语“堆叠芯片”。技术已经进步，可以堆叠许多芯片，但总数量受到封装厚度的限制。芯片堆叠技术已被证明可以多达 24 个芯片堆叠。然而，大多数使用9 芯片高度的堆叠芯片封装技术的来解决复杂的测试、良率和运输挑战。芯片堆叠也普遍应用在传统的基于引线框架的封装中，包括QFP、MLF 和 SOP 封装形式。如下图2.21的堆叠芯片封装形式。湖南陶瓷封装方式