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高可承受电流上升率di/dt为20kA/us。门极可承受触发电流大值为2000A,触发电流上升率di/dt大为1000A/us。但是此种开关所能承受的反向电压较低,因此还只能在特定的脉冲电源中使用。[1]但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的晶闸管属于半控型器件,通过门极(控制极)只能控制其开通而不能控制其关断,导通后控制极即不再起作用,要关断必须切断电源,即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性,必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路,从而使装置体积增大,成本增加,而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构,开通损耗大,工作频率难以提高,限制了其应用范围。1970年代末,随着可关断晶闸管(GTO)日趋成熟,成功克服了普通晶闸管的缺陷,标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件。 晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流。辽宁进口Infineon英飞凌晶闸管模块厂家供应
5、其它要求(1)当模块控制变压器负载时,如果变压器空载,输出电流可能会小于晶闸管芯片的擎住电流,导致回路中产生较大直流分量,严重时会烧掉保险丝。为了避免出现上述情况,可在模块输出端接一固定电阻,一般每相输出电流不小于500mA(具体数据可根据试验情况确定)。(2)小规格模块主电极无螺钉紧固,极易掀起折断,接线时应注意避免外力或电缆重力将电极拉起折断。(3)严禁将电缆铜线直接压接在模块电极上,以防止接触不良产生附加发热。(4)模块不能当作隔离开关使用。为保证安全,模块输入端前面需加空气开关。(5)测量模块工作壳温时,测试点选择靠近模块底板中心的散热器表面。可将散热器表面以下横向打一深孔至散热器中心,把热电偶探头插到孔底。要求该测试点的温度应≤80℃。晶闸管智能模块晶闸管智能模块模块参数编辑a)工作频率f为50Hz;b)模块输入交流电压VIN(RMS)范围:额定电压为220VAC时为170~250VAC、额定电压为380VAC时为300~450VAC(输入电压低于或高于上述各规定值时,应专门定做);c)三相交流输出电压不对称度<6%;d)控制电源电压12VDC;e)控制信号:VCON为0~10VDC;f)控制信号电流ICON≤1mA;g)输出电压温度系数<。 山东代理Infineon英飞凌晶闸管模块代理商它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。
在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时,应立即更换。3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。损坏原因判别/晶闸管编辑当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。
其数值比正向转折电压小100V。(2)反向重复峰值电压URRM在控制极断路时,可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压,此电压数值规定比反向击穿电压小100V。通常把UDRM与URRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏,因而在选用的时候,额定电压一个应该为正常工作峰值电压的2~3倍,作为安全系数。(3)额定通态平均电流(额定正向平均电流)IT在环境温度不大于40oC和标准散热即全导通的条件下,晶闸管元件可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)的平均值,称为额定通态平均电流IT,简称额定电流。(4)维持电流IH在规定的环境温度和控制极断路的条件下,维持元件继续导通的小电流称为维持电流IH。一般为几十毫安~一百多毫安,其数值与元件的温度成反比,在120摄氏度时维持电流约为25摄氏度时的一半。当晶闸管的正向电流小于这个电流时,晶闸管将自动关断。晶闸管的选用/晶闸管编辑(1)选择晶闸管的类型:晶闸管有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通单向晶闸管。 1957年美国通用电器公司开发出世界上第1晶闸管产品,并于1958年使其商业化。
通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管(英语:Thyristor),简称晶闸管,指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。早出现与主要的一种是硅控整流器(SiliconControlledRectifier,SCR),中国大陆通常简称可控硅,又称半导体控制整流器,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件,为一代半导体电力电子器件。晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破,标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要,促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展,其中一个分支即是以集成电路为的微电子器件,特点为小功率、集成化,作为信息的检出、传送和处理的工具;而另一类就是电力电子器件,特点为大功率、快速化。1955年,美国通用电气公司研发了世界上一个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器(SR)。 塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。重庆代理Infineon英飞凌晶闸管模块
晶闸管的主要参数有反向最大电压,是指门极开路时,允许加在阳极、阴极之间的比较大反向电压。辽宁进口Infineon英飞凌晶闸管模块厂家供应
2)交流无触点开关双向晶闸管可以用作交流无触点开关。如图4-50所示为照明灯延时控制电路,双向晶闸管VS就是一个交流无触点开关。延时电路被触发后照明灯随即点亮,但触发信号消失后照明灯并不立即熄灭。延时电路输出到VS控制极的U电压会延续一段时间,保持vs导通,直全延时结束后照明灯才熄灭。这里有一点需要特别强调,就是在交流回路中,交流电压在每一周期内都会有两次过零点,这时品闸管会关断。交流同态继电器电路巾也用到双向晶闸管,如图4-51所示。当交流固态继电器输入端加上控制电压时,双向晶闸管VS导通,接通输出端交流电路。(3)可控整流晶体闸流管可以用作可控整流,即不但能够完成整流功能,面且还可以控制输出直流电压的大小。可控整流电路如图4-52所示,晶闸管VS1、VS2为可控整流器件。只有当控制极有触发脉冲UG时晶闸管才导通进行整流.而每当交流电压过零时晶闸管关断。改变触发脉冲在交流电每半周内出现的迟早,即可改变晶闸管的导通角.从葡改变了输出到负载的直流电压的大小。(4)直流逆变可关断晶闸管可以很方便地构成直流逆变电路,将直流电逆变为交流电。如图4-53所示为直流逆变电路,两个可关断品闸管VS1、VS2的控制极触发电压UG1、UG2。 辽宁进口Infineon英飞凌晶闸管模块厂家供应