广州晶体二极管批发

半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：1、较大整流电流IF：是指管子长期运行时，允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV， 而反向击穿电压实际上大于40V。二极管可用于电源、信号处理等领域，具有普遍的应用。广州晶体二极管批发

开关二极管，开关二极管是专门设计制造的一类二极管，用于在电路上“开”、“关”。与普通二极管相比，其由导通转变为截止或由截止变为导通的时间较短。半导体二极管的导通相当于一个闭合开关，截止时等效于开启(断开)，因此二极管可用作开关，常用型号1N4148开关二极管。PN结导通由于半导体二极管具有单向传导的性质，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻非常小，大约是几十到几百欧；而在反向偏压下， PN结的电阻很大，一般硅二极管在10欧姆以上，而锗管也有几十千欧到几百千欧。通过这种特性，二极管可以在电路中对电流进行控制，从而成为一种理想的电子开关。开关二极管也有SMT和THT两种封装方式。广州晶体二极管批发二极管还可用作开关，通过控制正向或反向电压，实现电路的开闭。

接面电压，当二极管的P-N结处于正向偏置时，必须有相当的电压被用来贯通耗尽区，导致形成一反向的电压源，此电压源的电压就称为障壁电压，硅二极管的障壁电压约0.6V～0.7V，锗二极管的障壁电压约0.3～0.4V。种类：依照材料及发展年代分类：二极真空管；锗二极管；硒二极管；硅二极管；砷化镓二极管。依照应用及特性分类：PN结二极管（PN Diode），施加正向偏置，利用半导体中PN接合的整流性质，是较基本的半导体二极管，常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN结的条目。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。二极管常用于整流电路，将交流信号转换为直流信号。

肖特基二极管，利用金属和半导体二者的接合面的'肖特基效应'的整流作用。由于正向的切入电压较低，导通回复时间也短，适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多，突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。稳压二极管（Reference Diode）（常用称法：齐纳二极管），施加反向偏置，超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小，具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度，决定击穿电压（破坏电压）。其正向偏置与一般的二极管相同。二极管能够实现信号放大、信号检测和波形整形等功能。检波二极管参数

二极管的可靠性高，寿命长，适用于长时间运行的应用。广州晶体二极管批发

1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的头一代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。早期的二极管还包含了真空管，真空管二极管具有两个电极 ，一个阳极和一个热式阴极。在半导体性能被发现后，二极管成为了世界上头一种半导体器件。现如今的二极管大多是使用硅来生产，锗等其它半导体材料有时也会用到。目前较常见的结构是，一个半导体性能的结芯片通过PN结连接到两个电终端。广州晶体二极管批发