河北HYDAC EDS346-2-016-000传感器

**简单的半导体温度传感器就是一个PN结，例如二极管或晶体管基极-发射极之间的PN结。如果一个恒定电流流过正向偏置的硅 PN结，正向压降在温度每变化1℃时会降低1.8mV。很多IC利用半导体的这一特性来测量温度，包括美信的MAX1617、国半的LM335和LM74 等等。半导体传感器的接口形式多样，从电压输出到串行SPI/微线接口都可以。温度传感器种类很多，通过正确地选择软件和硬件，一定可以找到适合自己应用的传感器。上海恩凤电气有限公司经销各类传感器。 传感器在化工领域应用，浓度、腐蚀性等因素，再通过衡量其经济性，使其更好满足化工生产活动。河北HYDAC EDS346-2-016-000传感器

目前可以根据水流量的大小设计挡板，减少水流通过流量传感器产生的水阻力，减少水系统压头损失，但由于挡板式长期受水流的冲击仍然有疲劳的问题，即使在工厂标定好流量值的也会发生设定点飘移。通常在保护流量值不要求精确的地方使用，即用于水管内的水流突然中断的断流保护。在国内针对水源热泵机组设计的非常少。挡板式是专门针对水环/地源热泵空调机组的水流量监控而开发的，它针对不同的管径配有不同的挡片，每种挡片的水阻不超过0.5米水柱，相比靶式水阻已**降低。每个挡板式流量传感器都配有与水环热泵机组水管相同的管件，现场只需连接上水管即可，不需对挡片做任何改变，另外挡板式水流开关的承压大于25bar，在对水流量要求不高的水环热泵机组是一个低成本的水流开关。经过在水环/地源热泵机组上使用的反馈来看，压差开关能有效判断水环热泵机组现场安装的水管路的问题，能彻底避免水流量少造成换热器冻坏的情况，流量传感器也可以保护由于水过滤器堵塞造成的水流量下降时换热器冻坏的情况。 330910-06-13-10-01-CN本特利传感器防爆性能现在使用的大多为直流型接近开关，有二线式、三线式、四线式等三种形式.

接近传感器的选型：对于不同的材质的检测体和不同的检测距离，应选用不同类型的接近传感器，以使其在系统中具有高的性能价格比，为此在选型中应遵循以下原则：1. 当检测体为金属材料时：应选用高频振荡型接近传感器，该类型接近传感器对铁镍、A3钢类检测体检测**灵敏。对铝、黄铜和不锈钢类检测体，其检测灵敏度就低。2. 当检测体为非金属材料时：应选用电容型接近传感器，如木材、纸张、塑料、玻璃和水等。3. 金属体和非金属要进行远距离检测和控制时：应选用光电型接近传感器或超声波型接近传感器。4. 当检测体金属但灵敏度要求不高时：可选用价格低廉的磁性接近传感器或霍尔式接近传感器。

热电偶由两种不同金属结合而成，它受热时会产生微小的电压，电压大小取决于组成热电偶的两种金属材料，铁-康铜(J型)、铜-康铜(T型)和铬-铝(K型)热电偶是**常用的三种。  热电偶产生的电压很小，通常只有几毫伏。K型热电偶温度每变化1℃时电压变化只有大约40μV，因此测量系统要能测出4μV的电压变化测量精度才可以达到0.1℃。由于两种不同类型的金属结合在一起会产生电位差，所以热电偶与测量系统的连接也会产生电压。一般把连接点放在隔热块上以减小这一影响，使两个节点处以同一温度下，从而降低误差。有时候也会测量隔热块的温度，以补偿温度的影响 MEMS压力传感器是一种薄膜元件，受到压力时变形。

接近传感器的分类接近传感器按工作原理分:高频振荡型、电容型、感应电桥型、永久磁铁型和霍耳效应型等。 按操作原理可分为三类：利用电磁感应的高频振荡型，使用磁铁的磁力型和利用电容变化的电容型。按检测方法分：通用型：主要检测黑色金属（铁）所有金属型：在相同的检测距离内，检测任何金属。有色金属型：主要检测铝一类的有色金属 根据结构类型分:1、两线制接近传感器：两线制接近传感器安装简单，接线方便；应用比较***，但却有残余电压和漏电流大的缺点。2、直流三线式：直流三线式接近传感器的输出型有NPN和PNP两种，70年代日本产品绝大多数是NPN输出，西欧各国NPN、PNP两种输出型都有。PNP输出接近传感器一般应用在PLC或计算机作为控制指令较多，NPN输出接近传感器用于控制直流继电器较多，在实际应用中要根据控制电路的特性选择其输出形式。

电容式接近开关的感应头是一个圆形的平板电极，当有物体接近时电容量变化从而发出信号。330910-06-13-10-01-CN本特利传感器防爆性能

光的解调过程通常是将载波光携带的信号转换成光强度变化,然后由光电器件进行检测。河北HYDAC EDS346-2-016-000传感器

光生伏***应简称光伏效应，指的是物体在受到光照之后产生电动势的现象。光电池是一种自发电式的光电元件，它受到光照时自身能产生一定方向的电动势，在不加电源的情况下，只要接通外电路，便有电流通过。具体的工作原理如下：光伏电池在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型杂质而形成的一个大面积PN结，P区有大量的空穴，N区有大量的电子。当光照射P区表面时，若光子能量大于硅的禁带宽度，则在P型区内每吸收一个光子便产生一个电子—空穴对，P区表面吸收的光子越多，激发的电子空穴越多，越向PN结区越少。由于PN结内电场的方向是由N区指向P区的，它使扩散到PN结附近的电子—空穴对分离，光生电子被推向N区，光生空穴被留在P区。从而使N区带负电，P区带正电，形成光生电动势。若用导线连接P区和N区，电路中就有光电流流过。河北HYDAC EDS346-2-016-000传感器

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