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MM3Z3V6是一款稳压二极管，具有特定的电压稳定特性。以下是关于MM3Z3V6稳压二极管的一些主要参数和特性：功率耗散：该二极管的功率耗散为300mW。这表示在正常工作条件下，二极管可以承受的最大功率。齐纳电压范围：MM3Z3V6的齐纳电压范围为3V6，意味着它可以在这个电压范围内提供稳定的输出电压。稳压电流值：其稳压电流值（IZT）为5mA。比较大齐纳阻抗：比较大齐纳阻抗（ZZTMax）为130Ω。正向电压：正向电压（VF）为0.9V。反向耐压：反向耐压（VR）为1V。正向压降比较大值：正向压降比较大值（VFMax）在某些资料中为900mV，而在另一些资料中为1V。比较大和**小稳压值：比较大稳压值为3.8V，**小稳压值为3.4V，标准稳压值为3.6V。引脚数：该二极管为2Pin封装。尺寸：长x宽为1.80x1.40mm，高度为1.05mm。存储与工作温度：存储温度和工作温度范围均为-55℃~+150℃。封装：常见的封装形式为SOD-323，但也有SOD-123和LL-34等其他封装形式。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MM3Z3V6这款稳压二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。BC807-40是一款三极管 封装为SOT-23。中文资料ST先科ESD3BP5VOWS

MMBT3904是一款常用的三极管，具有出色的性能。以下是关于MMBT3904的详细参数和特性介绍：类型与极性：MMBT3904是一款NPN型的三极管。这意味着在基极（B）上加正偏压时，电流将从发射极（E）流向集电极（C）。电气参数：额定集电极-基极电压（V_CBO）：40V。这是集电极和基极之间能承受的最大电压。额定集电极-发射极电压（V_CEO）：40V。这是集电极和发射极之间能承受的最大电压。额定发射极-基极电压（V_EBO）：通常为6V。这是发射极和基极之间能承受的最大电压。比较大集电极电流（I_C）：200mA。这是三极管在正常工作状态下能承受的比较大集电极电流。最大功耗（P_D）：350mW。这是三极管在正常工作状态下能承受的最大功耗。当前增益（h_FE）：通常在100到300之间。这是基极电流放大后的集电极电流倍数。过渡频率：300MHz。满足大多高频率工作要求，适用于射频放大器、混频器和振荡器等高频电路中。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MMBT3904这款三极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。规格书ST先科MM1Z8V2MM1Z5V1是一款稳压二极管 封装为SOD-123。

1N4148PF是一种高频开关二极管，具有快速恢复的特性，主要用于信号频率较高的电路进行单向导通隔离，如通讯、电脑板、电视机电路及工业控制电路等。其主要特点包括100V的反向耐压和150mA的平均正向电流，这使得它非常适合一般场合做普通整流用。此外，它的结电容为4pF，反向恢复时间为4ns，能够满足多数场合的使用需求。在正向偏置操作模式下，1N4148PF允许电流通过并充当闭合开关；而在反向偏置操作模式下，它充当打开开关并且不允许电流通过。这种特性使得它在电路中能够灵活地控制电流的流动方向。总的来说，1N4148PF是一种功能强大且灵活的高频开关二极管，其广泛的应用领域和稳定的性能使得它在电子领域中具有重要地位。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐1N4148PF这款开关二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。

MM1Z12是一款稳压二极管，具体为12V的贴片稳压二极管。以下是关于MM1Z12的详细介绍：产品描述与精度：MM1Z12的精度为±5%，这保证了其在电路应用中的稳定性和可靠性。其稳压值（典型值）为12V，这是一个常见的标准电压值，适用于多种电子设备。反向漏电流与功率：该二极管在9V时的反向漏电流为100nA，最大功率为500mW。这些参数反映了MM1Z12在工作状态下的电气性能。封装与制造商：MM1Z12采用SOD贴片封装，这种封装形式有利于电路板的布局和节省空间。应用领域：MM1Z12广泛应用于BOM配单、工程师科研、家电、消防楼宇、医疗保健等领域。在这些领域，MM1Z12为电路提供稳定的电压输出，确保设备的正常运行。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MM1Z12这款稳压二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。ZMM5V6PF-MM是一款稳压二极管 封装为LL-34。

BAT46W是一款肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode），由STMicroelectronics（意法半导体）制造。肖特基势垒二极管（也常称为肖特基二极管）是一种具有低正向压降和高开关速度的二极管，通常用于需要快速开关和低功耗的应用中。BAT46W具有较低的正向电压降（VF），通常在几十到几百毫伏之间，这使得它在需要高效能量转换的电路中特别有用。此外，它还具有高反向击穿电压和快速恢复时间，能够在高频率下有效工作。BAT46W的具体参数可能包括：反向击穿电压：这通常是二极管可以承受的最大反向电压，超过这个电压，二极管将开始导电。BAT46W通常具有较高的反向击穿电压，适合在高压应用中使用。正向电流：二极管在正向偏置时可以承受的最大电流。工作温度范围：BAT46W可以在特定的温度范围内正常工作。BAT46W通常用于保护电路、电源管理、信号处理和其他需要快速开关和低正向压降的应用中。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐BAT46W这款肖特基二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。MMBT8050D(J3Y)是一款三极管 封装为SOT-23。代理分销商ST先科ESDLC0545D

SS5819D是一款肖特基二极管 封装为SMA。中文资料ST先科ESD3BP5VOWS

BC857是一款半导体器件，具体来说，它是一款晶体管。该器件具有Si-PNP性质，表面帖装型（SMD）和通用型（Uni）的封装形式。其主要参数包括极限工作电压为50V，最大电流允许值为0.1A，比较大工作频率为150MHZ，引脚数为3。此外，BC857的最大耗散功率和放大倍数也是其重要的性能指标。在实际应用中，BC857晶体管可以作为开关使用，或者用于信号放大等电路。由于其优良的性能和稳定的工作特性，BC857被广泛应用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、消费电子等。此外，如果需要替换BC857，可以考虑一些可代换的型号，如BCW69、BCW70、BCW89等。这些型号在性能和封装形式上可能与BC857相似，因此可以作为潜在的替代品。需要注意的是，虽然BC857具有广泛的应用场景和稳定的性能，但在具体使用时仍需要根据电路设计和应用需求进行选择。同时，由于半导体器件的制造和测试过程可能存在差异，因此在实际应用中可能需要对器件的性能进行进一步的测试和验证。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐BC857这款三极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。中文资料ST先科ESD3BP5VOWS