内蒙古电子元件物料回收公司

时间:2022年08月02日 来源:

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位线bl1连接至布置在存储器阵列102的一列内的存储单元内的工作mtj器件106。例如,位线bl1连接至图2的存储器阵列102的列内的工作mtj器件106。在一些实施例中,工作mtj器件106通过包括多个导电互连层406a至406c并且不延伸穿过衬底402的连续导电路径连接在位线blz(z=1,2)和字线wlx(x=1,3)之间。在一些实施例中,工作mtj器件106不位于被配置为控制对工作mtj器件106的访问的存取晶体管器件正上方。在一些实施例中,调节访问装置108包括调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。调节mtj器件204、第二调节mtj器件206和工作mtj器件106分别包括垂直布置在底电极通孔408和顶电极通孔410之间的mtj。在一些实施例中,顶电极通孔410可以通过通孔412(例如,铜通孔)连接至上面的互连层。在一些实施例中,底电极通孔408和顶电极通孔410可以包括金属,诸如氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、钛(ti)、钽(ta)等。在一些实施例中,第二互连层406b从调节mtj器件204正上方连续延伸至第二调节mtj器件206正上方。调节mtj器件204、第二调节mtj器件206和工作mtj器件106分别包括由介电遂穿阻挡层112分隔开的自由层114和固定层110。自由层114具有被配置为响应于电信号(例如,电流)而改变的磁矩。

1至202c,3分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和通过调节提供给工作mtj器件106的电流而选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。在一些实施例中,调节访问装置108包括连接至工作mtj器件106的同一层的调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。例如,调节mtj器件204和第二调节mtj器件206可以都连接至工作mtj器件106的固定层110。在一些实施例中,调节mtj器件204连接在工作mtj器件106和字线wlx之间(x=1,3,5),并且第二调节mtj器件206连接在工作mtj器件106和第二字线wly(y=2,4,6)之间。例如,在存储单元202a,1中,调节mtj器件204连接在工作mtj器件106和字线wl1之间,而第二调节mtj器件206连接在工作mtj器件106和字线wl2之间。调节mtj器件204、第二调节mtj器件206和工作mtj器件106分别包括mtj,mtj具有通过介电遂穿阻挡层112与自由层114分隔开的固定层110。在一些实施例中,固定层110可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中,介电遂穿阻挡层112可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(al2o3)等。在一些实施例中,自由层114可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在操作期间。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,有想法的不要错过哦!

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公开的写入操作可以在调节mtj器件(例如,图2中的204至206)处于高电阻状态来实施,以在选择和未选择的单元之间提供隔离。如图3a的示意图300所示,写入操作的步骤通过将数据状态写入存储器阵列102的行301中的存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件来实施。通过将非零偏置电压v1(例如,2v)施加至字线wl1和wl2,将第二非零偏置电压v2(例如,6v)施加至字线wl3,将第三非零偏置电压v3(例如,8v)施加至位线bl1和bl3,并且将第四非零偏置电压v4(例如,4v)施加至位线bl2来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v1(例如,2v)和第三非零偏置电压v3(例如,8v)之间的差异使得电流i1流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw,使得存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件的状态不变。然而,来自调节mtj器件的电流加在一起,使得为电流i1的两倍的电流流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。电流i1的两倍的电流大于切换电流isw,以将数据状态写入存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。第二存储单元202a,2内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响,因为非零偏置电压v1(例如。内蒙古电子元件物料回收公司

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