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contract),“cb”表示接触件,“vo”表示通孔接触件,“m1”表示线路。栅极绝缘层118可以由氧化硅层、高k介电层或它们的组合形成。多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以跨越多个有源区ac在栅极绝缘层118上延伸,同时覆盖每个有源区ac的上表面和两个侧壁。掩模122可以形成在栅极线pc11、12、13、14、15和16中的每条栅极线上。栅极绝缘层118的侧壁、栅极线pc的侧壁和掩模122的侧壁可以被间隔件124覆盖。具体地讲,间隔件124可以沿着第三方向z沿着栅极绝缘层118、栅极线pc和掩模122延伸。在图12c中所示的截面中,栅极绝缘层118可以沿着第三方向z在栅极线pc与间隔件124之间延伸。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金属氮化物层、金属层、导电覆盖层和间隙填充金属层按顺序堆叠的结构。金属氮化物层和金属层可以包括钛(ti)、钽(ta)、钨(w)、钌(ru)、铌(nb)、钼(mo)、铪(hf)等。例如,可以通过使用原子层沉积(ald)方法、金属有机ald方法和/或金属有机化学气相沉积(mocvd)方法来形成金属层和金属氮化物层。导电覆盖层可以用作防止金属层的表面氧化的保护层。此外,导电覆盖层可以用作有助于金属层上的另一导电层沉积的粘合层(例如,润湿层(wettinglayer))。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司,欢迎您的来电哦!江西电子芯片回收平台
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可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg以及双倍心轴图案dpg1和dpg2。例如,四倍心轴图案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下,每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成顺序地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。在一些实施例中,第三栅极节距pg23是距下一个单元线路结构的距离。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。表达式3pg21=wdg+wglpg22=wqg-wglpg23=pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表达式3中,wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度,wqg表示四倍心轴图案qpg的宽度,wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。在下文中,将参照图8、图9和图10描述通过saqp形成多条列金属线的示例实施例。参照图8、图9和图10,单元线路结构uws4、uws5和uws6中的每个可以包括分别布置在方向x上的十二条列金属线ml1至ml12和八条栅极线gl1至gl8。如参照图4a至图4i所述,可以在列导电层ccl上方顺序地形成四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3以及双心轴图案dpm1至dmp6。例如。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,欢迎新老客户来电!
图2a和图2b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块组件200。图2a是双列直插式存储模块组件200在其装配状态下的图。双列直插式存储模块组件200的分解图在图2b中示出。双列直插式存储模块组件200包括印刷电路板202,印刷电路板202上安装有一个或多个集成电路(一般地以204示出)。印刷电路板202一般是双侧的,集成电路204安装在印刷电路板202的两侧上。热接口材料206a、206b的层热耦联至集成电路204。一种常见的热接口材料是热间隙垫。然而,可以使用其他的热接口材料,例如,使用诸如导热膏及类似物。在所描绘的实施例中,具有一对侧板208a、208b的能够移除的散热器与热接口材料206a、206b的层物理接触,并且因此所述散热器热耦联至所述热接口材料206a、206b。侧板208a、208b可以由铝制成。然而,可以使用其他材料来形成侧板208a、208b,例如,使用诸如不锈钢或类似物来形成侧板。为了降造成本,侧板208a、208b可以是相同的。能够移除的一个或多个弹性夹210a、210b、210c、210d可以定位在侧板208a、208b周围,以将侧板压靠在热接口材料206a、206b上,以确保合适的热耦联。图3示出了图2的双列直插式存储模块组件200的一侧的视图。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司,有需求可以来电咨询!云南电子料库存回收网
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