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时间:2022年08月06日 来源:

该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图6a至图6b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图7a至图7b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图8a至图8b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图9至图12示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例,该存储器电路包括存储单元,该存储单元包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图13示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的流程图,该存储器电路包括存储单元,该存储单元包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些是实例,而不旨在限制本发明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成部件可以包括部件和第二部件直接接触形成的实施例。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,竭诚为您服务。北京电子元件回收市场

ge)等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中,基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域,例如,掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例:“pc”表示栅极线,“ca”表示接触件。黑龙江电子料库存回收市场上海海谷电子有限公司回收值得用户放心。

每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如,双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下,每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10,每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg1和qpg2以及双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如,四倍心轴图案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下,每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。

在一些实施例中,每个单元线路结构的四条栅极线通过例如sadp形成,并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。通常,在一些实施例中,作为另一示例,每个单元线路结构的四条栅极线通过例如自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成顺序地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。在一些实施例中,每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构的八条栅极线通过单图案化形成,并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成具有相等的栅极节距。在一些实施例中,每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线,每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外,例如。上海海谷电子有限公司为您提供回收,欢迎您的来电哦!

所述主板的下方安装有信号接头,所述主板的边角处装设有减震螺栓,所述减震螺栓的下方焊接有支撑杆,所述支撑杆的内部安装有紧固螺栓,所述紧固螺栓的下方套设有连杆,所述连杆的上方安装有线夹。的,所述散热板为鳍形设计。的,所述橡胶塞为方形设计,所述橡胶塞镶嵌在隔线板内部均匀开设的方形通孔内。的,所述信号接头包括母头、卡扣和,所述母头的两侧设置有卡扣,所述卡扣的底端焊接在的上方,所述母头焊接在主板的底部,所述连接在信号线上。的,所述减震螺栓包括螺杆、弹簧、垫片、第二垫片、第二弹簧和限位块,所述螺杆的顶部套设有弹簧,所述弹簧的下方焊接有垫片,所述垫片的下方安装有第二垫片,所述第二垫片的下方焊接有第二弹簧,所述第二弹簧的下方焊接在限位块的顶端,所述减震螺栓共设置有四组,且四组所述减震螺栓分别安装在主板的四个边角上。的,所述支撑杆共设置有两组,两组所述支撑杆的两端分别焊接在减震螺栓的下方,所述支撑杆的内部开设有滑槽,所述连杆通过紧固螺栓与支撑杆构成滑动结构。的,所述线夹共设置有三组,且三组所述线夹通过转动轴连接在连杆的上方,所述线夹通过转动轴与连杆构成转动结构。与现有技术相比。回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎新老客户来电!河北批量电子物料回收联系方式

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同样的附图标记始终表示同样的元件。可以省略重复的描述。在下文中,在三维空间中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根据示例实施例的集成电路的结构。方向x可以是行方向,第二方向y可以是列方向,第三方向z可以是竖直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉,例如,可以彼此正交或垂直。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。参照图1,在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线,其中,所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在栅极层上方的导电层中形成多条金属线,其中,所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸,使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上(s200)。根据示例实施例,可以通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成多条金属线。sadp和saqp是制造技术。此外,根据示例实施例,可以通过单图案化(即,直接图案化)、sadp或saqp形成多条栅极线。单图案化也是制造技术。下面将参照图4a至图4i描述单图案化、sadp和saqp。在一些实施例中,单元线路结构对应于未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。在一些示例实施例中。北京电子元件回收市场

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