甘肃电子元件物料回收处理

可以使用光刻工艺形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工艺和软焙工艺在层250上形成抗蚀剂层。然后，使用针对图4c的心轴图案231、232和233而定义的掩模将抗蚀剂层暴露于辐射。心轴图案231、232和233将提供基于231、232和233创建图4e中所示的侧壁间隔件261至266的基础。终将蚀刻掉心轴图案231、232和233。使用曝光后烘焙、显影和硬烘焙来使曝光的抗蚀剂层显影，从而在层250上方形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3在方向x上具有节距p1和宽度w1。参照图4c，通过抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的开口蚀刻层250、240和230以形成心轴图案231、232和233。蚀刻工艺可以包括干法(或等离子体)蚀刻、湿法蚀刻或其他合适的蚀刻方法。之后使用合适的工艺(诸如，湿法剥离或等离子体灰化)去除抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。还使用一个或更多个蚀刻工艺去除层250和层240，从而在中间层220上方产生图4c中所示的心轴图案231、232和233。考虑到通过上述图案化工艺的特征变化，心轴图案231、232和233在方向x上具有分别与节距p1和宽度w1基本匹配的节距p2和宽度w2。参照图4d，在介电层220上方、在心轴图案231、232和233上方以及在心轴图案231、232和233的侧壁上形成间隔层260。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法可以来我司咨询！甘肃电子元件物料回收处理

本申请要求于2018年12月5日提交到韩国知识产权局(kipo)的第10-2号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。示例实施例总体涉及半导体集成电路，更具体地讲，涉及具有单元线路结构的集成电路以及制造和设计该集成电路的方法。背景技术：具有固定功能的标准单元可用在集成电路的设计中。标准单元具有预定架构并被存储在单元库中。在设计集成电路时，从单元库索取标准单元并将其放置在集成电路布图上的所需位置。然后执行布线以将标准单元彼此连接并与其他单元连接。标准单元具有预定(或设定)架构，例如，单元宽度、单元高度、单元长度等。可以根据标准单元的配置和布图来确定集成电路的设计效率。技术实现要素：一些示例实施例可以提供具有适合于设计的线路结构的集成电路以及制造和设计集成电路的方法。还提供一种集成电路，所述集成电路包括：半导体基底；多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，所述多条金属线包括6n条金属线，所述多条栅极线包括4n条栅极线。湖南呆滞电子料回收量大从优回收，就选上海海谷电子有限公司，有需要可以联系我司哦！

图中：1芯片本体、2连接机构、21螺纹块、22凹槽、23l形杆、24转动环、25螺母、3散热机构、31空心导热块、32连通管、33空心散热块、34第二连通管、35第二空心散热块、4锥形块、5导管、6管盖。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。参照图1-2，一种组合式集成电路芯片，包括芯片本体1，芯片本体1的上表面固定连接有两个对称分布的连接机构2，两个连接机构2相对的一端共同固定连接有散热机构3，散热机构3的底端与芯片本体1的上表面活动连接。连接机构2包括与芯片本体上表面固定连接的螺纹块21，螺纹块21的上表面开设有凹槽22，凹槽22的槽壁活动连接有l形杆23，l形杆23的杆壁转动套接有转动环24。

图4a示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片400的一些实施例的截面图。集成芯片400包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1和第二存储单元202b,1，第二存储单元202b,1邻近于存储单元202a,1横向定位。介电结构404还围绕多个导电互连层406a至406c。在一些实施例中，介电结构404可以包括多个堆叠的ild层。在各个实施例中，多个堆叠的ild层可以包括氧化硅、氟掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅等的一种或多种。在各个实施例中，多个导电互连层406a至406c可以包括铜、铝、钨、碳纳米管等。存储单元202a,1和第二存储单元202b,1分别包括调节访问装置108和工作mtj器件106。调节访问装置108连接至限定多条字线wl1至wl4的互连层406a。多条字线wl1至wl4中的两个连接至图2的存储器阵列102的一行内的相应存储单元。例如，字线wl1至wl2可以连接至行中的存储单元202a,1，并且字线wl3至wl4可以连接至第二行中的第二存储单元202b,1。在一些实施例中，多条字线wl1至wl4可以与衬底402分隔开非零距离d。第二互连层406b布置在调节访问装置108和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至限定位线bl1的第三互连层406c。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的可以来电咨询！

存储介质1100(例如，存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元，并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如，小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如，计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器，以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变ram(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中，可以被集成在计算机中，或者可以通过诸如网络和/或无线链接的通信介质连接到计算机。设计模块1400可以包括布局模块plmd1200和布线模块rtmd1300。在此，术语“模块”可以指示但不限于执行特定任务的软件和/或硬件组件(诸如，现场可编程门阵列(fpga)或集成电路(asic))。模块可以驻留在有形的、可寻址的存储介质中，并且可以在一个或多个处理器上执行。例如。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有需要可以联系我司哦！内蒙古批量电子物料回收服务

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所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的示例实施例。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图。图3是根据示例实施例的集成电路的图。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。图5至图10是根据示例实施例的应用于集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。图11是示出示例标准单元的布图的示图。图12a、图12b和图12c是图11的标准单元的截面图。图13是示出根据示例实施例的设计集成电路的方法的示图。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图17是示出根据示例实施例的移动装置的框图。具体实施方式在下文中将参照示出一些示例实施例的附图更地描述各种示例实施例。在附图中。甘肃电子元件物料回收处理

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