内蒙古电感元件回收公司

时间:2022年08月08日 来源:

所述方法包括:提供两个印刷电路装配件,每个所述印刷电路装配件包括:系统板,在所述系统板上的多个印刷电路板插座,多个液体冷却管,每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板,连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块,和多个散热器,每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联;以及将所述印刷电路装配件彼此相对地布置,使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错,并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。附图说明参考下列附图,根据一个或多个不同实施例详细描述了本公开。附图出于说明的目的提供,并且描绘典型或示例的实施例。图1是系统的关系图,在该系统中可以实施不同实施例。图2a和图2b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块(dimm)组件。图3示出了图2a和图2b的双列直插式存储模块组件的一侧的视图。图4a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件。图4b示出了图4a的两个印刷电路装配件,所述两个印刷电路装配件相对地放置在一起。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,欢迎您的来电!内蒙古电感元件回收公司

同样的附图标记始终表示同样的元件。可以省略重复的描述。在下文中,在三维空间中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根据示例实施例的集成电路的结构。方向x可以是行方向,第二方向y可以是列方向,第三方向z可以是竖直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉,例如,可以彼此正交或垂直。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。参照图1,在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线,其中,所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在栅极层上方的导电层中形成多条金属线,其中,所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸,使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上(s200)。根据示例实施例,可以通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成多条金属线。sadp和saqp是制造技术。此外,根据示例实施例,可以通过单图案化(即,直接图案化)、sadp或saqp形成多条栅极线。单图案化也是制造技术。下面将参照图4a至图4i描述单图案化、sadp和saqp。在一些实施例中,单元线路结构对应于未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。在一些示例实施例中。湖北电容电阻回收行情回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎新老客户来电!

位线解码器116被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr1选择性地向一条或多条位线bl1至bl2提供信号(例如,电压)。而字线解码器118被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr2选择性地向一条或多条字线wl1至wl2提供信号(例如,电压)。调节访问装置108被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件106的信号),并且由此选择性地对相关的工作mtj器件106提供访问。例如,在写入操作期间,存储器阵列102内的调节访问装置108可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即,足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流,而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。使用调节访问装置108来选择性地对工作mtj器件106提供访问提供了没有驱动晶体管的存储单元。没有驱动晶体管的存储单元允许存储器阵列102的尺寸减小,从而改进存储器电路100的性能并且减小成本。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路200的一些额外实施例的示意图,该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路200包括存储器阵列102,存储器阵列102具有以行和列布置的多个存储单元202a,1至202c,3(例如,mram单元)。多个存储单元202a。

化学机械平坦化工艺)以形成互连层406a。在各个实施例中,衬底402可以是任何类型的半导体主体(例如,硅、sige、soi等),诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯,以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中,ild层904可以包括一种或多种介电材料,诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如,硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中,导电材料可以包括通过沉积工艺(例如,cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如,钨、铝等)。在各个实施例中,互连层406a可以是互连线层、第二互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。如图10的截面图1000所示,在互连层406a的上表面上方形成多个底电极通孔408。多个底电极通孔408由介电层1002围绕。在一些实施例中,介电层1002可以沉积在互连层406a上方,并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔408。在各个实施例中,介电层1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中,多个底电极通孔408可以包括导电材料,诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔408上方形成多个mtj器件106、204和206。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司,期待您的光临!

多个mtj器件106、204和206分别包括mtj,mtj具有通过介电遂穿阻挡层112与自由层114分隔开的固定层110。在一些实施例中,固定层110可以形成为接触底电极通孔408。在其它实施例中,自由层114可以形成为接触底电极通孔408。多个mtj器件106、204和206中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件106。多个mtj器件106、204和206中的一个或多个包括设置在调节访问装置108内的调节mtj器件204和206,调节访问装置108被配置为控制(即,调节)提供给相关的工作mtj器件106的电流。在一些实施例中,可以同时形成多个mtj器件106、204和206。例如,在一些实施例中,可以通过在介电层1002和多个底电极通孔408上方沉积磁固定膜,在磁固定膜上方形成介电阻挡膜,并且在介电阻挡膜上方形成磁自由膜来形成多个mtj器件106、204和206。可以对磁固定膜、介电阻挡层和磁自由膜实施一个或多个图案化工艺以限定多个mtj器件106、204和206。在其它实施例中,可以在不同时间形成多个mtj器件106、204和206。如图11的截面图1100所示,在多个mtj器件106、204和206上方形成多个顶电极通孔410。多个顶电极通孔410由第二ild层1102围绕。在一些实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供回收,有需求可以来电咨询!青海二极管回收量大从优

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宽度w1),并且第二调节mtj器件具有与尺寸不同的第二尺寸(例如,第二宽度w2)。调节mtj器件504的尺寸赋予调节mtj器件504更大的切换电流,这可以允许更大的电流。在一些实施例中,工作mtj器件106具有与尺寸和第二尺寸不同的第三尺寸(例如,第三宽度w3)。图6a至图6b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图6a示出了具有以行和列布置的多个存储单元602a,1至602c,3的存储器电路600的示意图。多个存储单元602a,1至602c,3分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接在字线wlx(x=1,2,3)和偏置电压线bvly(y=1,2,3)之间的调节mtj器件604。工作mtj器件106连接在偏置电压线bvly(y=1,2,3)和位线blz(z=1,2,3)之间。多个存储单元602a,1至602c,3连接至控制电路607。控制电路607包括被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线blz的位线解码器116、被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wlx的字线解码器118以及被配置为选择性地将信号施加至一条或多条偏置电压线bvly的偏置电路606。在一些实施例中。内蒙古电感元件回收公司

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