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    并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580与第二eml540之间，第二etl554被定位在第二eml540与第二cgl590之间。第二eml540包含蓝色掺杂剂542。蓝色掺杂剂542具有与eml520中的延迟荧光掺杂剂522和磷光掺杂剂524相比更短的发射波长范围。例如，蓝色掺杂剂542可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是第二eml540还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂542的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。第三发光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590与第三eml560之间，第三etl574被定位在第三eml560与第二电极512之间。此外，eil576被定位在第三etl574与第二电极512之间。第三eml560包含第二延迟荧光掺杂剂562和第二磷光掺杂剂564。第二延迟荧光掺杂剂562具有发射波长范围，第二磷光掺杂剂564具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，第二发射波长范围可以为红色波长范围。乐山二极管一级代理商。南京强茂二极管厂家

    图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二，如图4所示，该系统还包括报警电路21，所述报警电路21与所述微控制器15电性连接，在所述第二对比的结果超出第二校准数据表的合理范围的情况下，所述微控制器15发送报警信号给所述报警电路21，所述报警电路21进行报警，该报警电路21可以为发光设备的灯光报警，也可以是发声设备的声音报警。在一个实施例中，该驱动板12与该发光二极管11连接，微控制器15控制该驱动板15给该发光二管11输出电流的大小，该微控制器15可以设置一个变化的电流值范围，驱动板12将变化的电流值输出给该发光二极管11，该微控制器15也可以输出不同占空比的pwm信号，依据该pwm信号和预设的最大电流值，确定该驱动板12输入给该发光二极管11的该电流值，确定的过程包括：输出电流＝pwm占空比*设置的最大电流，实现发光二极管11电流的精细控制。在一个实施例中，在该电压采集电路13是运算差分电路的情况下，通过运算差分电路接入该发光二极管11的两端，获取该发光二极管11的压差值。例如，图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图，如图5所示，该发光二极管11两端的电压分别为v1和v2，输出的电压vout如公式1所示：当r1＝r3。广州稳压二极管乐山稳压二极管原装现货。

    附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一；图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图；图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图；图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二；图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图；图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图；图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不矛盾的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统，图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一，如图1所示，该系统包括：发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15；该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值，并发送给该微控制器15；该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。

    并发送给该微控制器15；该微控制器15控制并获取该发光二极管11的电流值，该驱动板12依据该电流值驱动该发光二极管11；该微控制器15依据该良好温度值和该良好压差值，调用预存储的良好校准数据表进行良好对比，依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后，获取第二压差值，良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表；图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图，如图2所示，发光二极管的正向压降是随温度变化而改变的曲线，是大小偏移的曲线，且该发光二极管11的正向压降的偏移量与工作温度呈负相关，例如，该良好压差值可以依据该正向压降的曲线进行校准，调整为第二压差值，该发光二极管11出厂前，对可以进行长时间的工作测试，例如，进行500小时的工作测试，该微控制器15记录发光二极管正常工作在不同温度下的正向压降，，依据该正向压降的偏移量生成该良好校准数据表，该良好校准数据表用于对该良好压差值进行校准，生成该第二压差值。该微控制器15依据该第二压差值和该电流值，调用预存储的第二校准数据表进行第二对比，第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表，在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下。捷捷微肖特基二极管原装现货。

    在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且形成切换tft以与栅极线和数据线连接。切换tft与作为驱动元件的tfttr连接。此外，还可以形成电力线，所述电力线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并间隔开；和用于在一帧中保持tfttr的栅极电极的电压的存储电容器。形成有钝化层350以覆盖tfttr，钝化层350包括暴露tfttr的漏电极342的漏极接触孔352。在各像素中单独形成有电极220，电极220通过漏极接触孔352与tfttr的漏电极342连接。电极220可以为阳极，并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，电极220可以由透明导电材料例如ito或izo形成。可以在电极220下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。在钝化层350上形成有堤层360以覆盖电极220的边缘。即，堤层360被定位在像素的边界并且暴露像素中的电极220的中心。堤层360可以省略。在电极220上形成有有机发光层290。参照图5，有机发光层290包括发光部分250，发光部分250包括有eml240；和第二发光部分270，第二发光部分270包括有第二eml260。例如。乐山整流二极管原装现货。广州panjit二极管稳压

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    ex4)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：30重量％，磷光掺杂剂：％)7.实施例5(ex5)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：30重量％，磷光掺杂剂：％)8.实施例6(ex6)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：30重量％，磷光掺杂剂：％)9.实施例7(ex7)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：30重量％，磷光掺杂剂：％)10.实施例8(ex8)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：20重量％，磷光掺杂剂：％)11.实施例9(ex9)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：20重量％，磷光掺杂剂：％)12.实施例10(ex10)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：40重量％，磷光掺杂剂：％)13.实施例11(ex11)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％。南京强茂二极管厂家

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