深圳发光二极管公司

    第二电极412为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl480和第二cgl490分别被定位在发光部分430与第二发光部分450之间和第二发光部分450与第三发光部分470之间。即，发光部分430、cgl480、第二发光部分450、第二cgl490和第三发光部分470顺序堆叠在电极410上。换言之，发光部分430被定位在电极410与cgl480之间，第二发光部分450被定位在cgl480与第二cgl490之间。此外，第三发光部分470被定位在第二电极412与第二cgl490之间。发光部分430可以包括顺序堆叠在电极410上的hil432、htl434、eml420和etl436。即，hil432和htl434被定位在电极410与eml420之间，hil432被定位在电极410与htl434之间。此外，etl436被定位在eml420与cgl480之间。eml420包含蓝色掺杂剂422。例如，蓝色掺杂剂422可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是eml420还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂422的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。第二发光部分450可以包括第二htl452、第二eml440和第二etl454。第二htl452被定位在cgl480与第二eml440之间，第二etl454被定位在第二eml440与第二cgl490之间。乐山二极管原厂渠道。深圳发光二极管公司

    该微控制器15获取该发光二极管11周围的该热敏电路ntc电路的热敏电阻ntc的阻值，依据温度阻值曲线图(厂家提供的温度-阻值曲线图)获取该热敏电阻ntc的第二温度值，依据该热敏电阻ntc的第二温度值确定该发光二极管11的该良好温度值，该ntc离发光二极管距离比较近的情况下，该第二温度值可以确定为该发光二极管11的良好温度值。在本发明的一个实施例中，提供了一种发光二极管11的控制方法，图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图，如图7所示，该方法包括如下步骤：步骤s702,获取发光二极管良好温度值和良好压差值，依据该良好温度值和该良好压差值，调用预存储的良好校准数据表进行良好对比，依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后，获取第二压差值，良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表；步骤s704,获取发光二极管的电流值，依据该第二压差值和该电流值，调用预存储的第二校准数据表进行第二对比，第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表，在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下，发送报警信息。通过上述步骤s702至s704，发光二极管11出厂工作后，微控制器15自主控制该发光二极管11的电流。北京开关二极管厂家东莞强茂二极管代理商公司。

    阵列探测器的性能受到严重影响，制约其阵列规模。目前，可通过调节apd偏置电压的方法来提高阵列探测器性能的均匀性。传统方案采用dac(digitaltoanalogconverter,数模转换器)和ldo(lowdropoutregulator,低压差线性稳压器)结构相结合的调节方式来调节apd的偏置电压，即dac产生同时调节数个像素的基准电压作为ldo中误差放大器的输入，随后ldo结构根据dac提供的基准电压来实现apd偏置电压的调节。但是这种调节方式中ldo面积大且不能实现单个像素的调节，此外ldo有限的带宽较难实现apd快速充放电过程中的电压稳定性。技术实现要素：针对传统apd偏置电压调节方式中存在的面积大、不能实现单个像素的调节、电压稳定性不高等不足之处，本发明提出一种调节雪崩光电二极管apd偏置电压的方法，基于负压进行调节，扩大了apd偏置电压的调节范围，且能够实现逐像素可调的apd充电置位电压，有利于提升apd阵列的探测灵敏度，且具有面积小、响应速度快、电压准确度高等优点。本发明的技术方案为：基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路，包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块。

    五pmos管mp5的栅极连接一电流镜单元的输出端和二电流镜单元的输出端并通过三电阻r3后连接负电源电压vne，其漏极连接负电源电压vne，其源极输出浮动地电压作为雪崩光电二极管的偏置电压。浮动地电压连接复位管gn的源极，复位管gn的漏极连接淬灭管gp的源极和雪崩光电二极管的的阳极。一电流镜单元用于将流过一pmos管mp1的电流按比例镜像，实施例中提出一种比例电流镜结构，能够步进调节镜像的电流比例，如图1所示，一电流镜单元包括一开关s1、二开关s2、三开关s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4；六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8的栅极均连接一pmos管mp1的栅极，其源极均连接电源电压，其漏极分别通过一开关s1、二开关s2和三开关s3后连接一电流镜单元的输出端。本实施例中一电流镜单元中六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分别与一pmos管mp1构成电流镜结构，且由于一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4，因此六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分别能够按照1:1、1:2、1:4的比例镜像一pmos管mp1的电流，结合对一开关s1、二开关s2、三开关s3的控制。强茂车规级二极管原装现货。

    以通过控制流到三电阻r3上的电流大小来控制像素内五pmos管mp5的栅极电压的大小，进而控制浮动地点的电压大小，从而保证实现浮动地处电压的步进调节。本实施例中当一开关s1、二开关s2和三开关s3至少有一个闭合时，通过一电流镜单元镜像按不同比例镜像的电流将浮动地电位调节为步进电压的不同倍数，本实施例将步进电压即一运算放大器op1正相输入端的基准电压vref设置为，将比例电流镜中三个pmos管的宽长比设置为1:2:4，因此能将浮动地电位从0v～7倍步进电压即0v、、1v、、2v、、3v、。当运放的正相输入端输入电压为0v时，若二pmos管mp2管的漏端接地，则源漏电压为0v，二pmos管mp2管只能工作在截止区或线性区，无法将其源端电压钳位到0v。因此，将二pmos管mp2管的漏端与负电源电压vne相连接，因为二pmos管mp2管的栅极电压由一电阻r1上的压降决定，则二pmos管mp2管栅极电压可为负，而二pmos管mp2管的栅源电压可低至为pmos的阈值电压，所以通过调节二pmos管mp2管的尺寸，二pmos管mp2管的源极电压可以很容易的被钳位至0v。同理，当运放的正相输入端输入电压为步进电压时，流过电阻上的偏置电流发生变化，从而使得二pmos管mp2管的栅极电压改变，又因为其源漏电流不变。捷捷微开关二极管原装现货。惠州panjit二极管稳压

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    以及磷光掺杂剂244具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，以及第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂242可以由式1或式3表示，磷光掺杂剂244可以由式5表示。磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比可以在约％至％的范围内，推荐约％至％。尽管未示出，但是eml240还可以包含基质。基质可以在eml240中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl274和eil276。第二htl272被定位在cgl280与第二eml260之间，第二etl274被定位在第二eml260与第二电极230之间。此外，eil276被定位在第二etl274与第二电极230之间。第二eml260包含蓝色掺杂剂262。蓝色掺杂剂262具有与eml240中的延迟荧光掺杂剂242和磷光掺杂剂244相比更短的发射波长范围。例如，蓝色掺杂剂262可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是第二eml260还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂262的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。深圳发光二极管公司

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