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通过可控衰减电路中的电阻吸收和衰减射频功率,使得进入后续电路的射频功率减小,输入信号衰减,从而实现负增益。在一个可能的示例中,可控衰减电路包括电阻r1、第二电阻r2、电感l1和开关t1,开关的栅级与电阻的端连接,电阻的第二端连接电压信号,开关的漏级与第二电阻的端连接,开关的源级接地,电感的端连接输入信号,电感的第二端连接第二电阻的第二端;其中,开关,用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态,以使可控衰减电路处于无衰减状态,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态,以使可控衰减电路处于衰减状态,实现射频功率放大器电路处于负增益模式;其中,控制信号为具有电压值的电压信号,第二控制信号为具有第二电压值的电压信号,电压值与第二电压值不同。需要说明的是,开关为绝缘体上硅cmos管,或平面结构mos管。电阻为上拉电阻,其阻值较小,电压信号vgg通过电阻连接开关。在一些实施例中,微处理器通过控制vgg=,使得开关关断,可控衰减电路处于无衰减状态,将输入匹配电路与可控衰减电路隔离,此时,射频功率放大器电路对输入信号放大,射频功率放大器电路实现非负增益模式。射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻。江苏超宽带射频功率放大器供应商
其次是低端智能手机(35%)和奢华智能手机(13%)。25G基站,PA数倍增长,GaN大有可为5G基站,射频PA需求大幅增长5G基站PA数量有望增长16倍。4G基站采用4T4R方案,按照三个扇区,对应的PA需求量为12个,5G基站,预计64T64R将成为主流方案,对应的PA需求量高达192个,PA数量将大幅增长。5G基站射频PA有望量价齐升。目前基站用功率放大器主要为基于硅的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS技术,不过LDMOS技术适用于低频段,在高频应用领域存在局限性。对于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的运行频率,RF功率在,预计5G基站GaN射频PA将逐渐成为主导技术,而GaN价格高于LDMOS和GaAs。GaN具有优异的高功率密度和高频特性。提高功率放大器RF功率的简单的方式就是增加电压,这让氮化镓晶体管技术极具吸引力。如果我们对比不同半导体工艺技术,就会发现功率通常会如何随着高工作电压IC技术而提高。硅锗(SiGe)技术采用相对较低的工作电压(2V至3V),但其集成优势非常有吸引力。GaAs拥有微波频率和5V至7V的工作电压,多年来一直应用于功率放大器。硅基LDMOS技术的工作电压为28V,已经在电信领域使用了许多年,但其主要在4GHz以下频率发挥作用。浙江低频射频功率放大器联系电话由于进行大功率放大设计,电路必然产生许多谐波,匹配电路还需要有滤 波功能。
第二端接地。可选的,所述子滤波电路包括:电容;所述电容的端与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率放大单元的输出端耦接,第二端接地。可选的,所述子滤波电路还包括:电感;所述电感串联在所述电容的第二端与地之间。可选的,所述第二子滤波电路包括:第二电容;所述第二电容的端与所述功率合成变压器的第二输入端以及所述功率放大单元的第二输出端耦接,第二端接地。可选的,所述第二子滤波电路还包括:第二电感;所述第二电感串联在所述第二电容的第二端与地之间。可选的,所述输入端匹配滤波电路还包括:寄生电容;所述寄生电容耦接在所述功率放大单元的输出端与所述功率放大单元的第二输出端之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路包括第三子滤波电路;所述第三子滤波电路的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路包括:第三电容;所述第三电容的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路还包括:第三电感;所述第三电感串联在所述第三电容的第二端与地之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路还包括第四子滤波电路;所述第四子匹配滤波电路的端与所述主次级线圈的第二端耦接。
显示单元404可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及终端的各种图形用户接口,这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。显示单元404可包括显示面板,可选的,可以采用液晶显示器(lcd,liquidcrystaldisplay)、有机发光二极管(oled,organiclight-emittingdiode)等形式来配置显示面板。进一步的,触敏表面可覆盖显示面板,当触敏表面检测到在其上或附近的触摸操作后,传送给处理器408以确定触摸事件的类型,随后处理器408根据触摸事件的类型在显示面板上提供相应的视觉输出。虽然在图4中,触敏表面与显示面板是作为两个的部件来实现输入和输入功能,但是在某些实施例中,可以将触敏表面与显示面板集成而实现输入和输出功能。移动终端还可包括至少一种传感器405,比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地,光传感器可包括环境光传感器及接近传感器,其中,环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板的亮度,接近传感器可在终端移动到耳边时,关闭显示面板和/或背光。作为运动传感器的一种,重力加速度传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小,静止时可检测出重力的大小及方向,可用于识别手机姿态的应用。功率放大器有GAN,LDMOS初期主要面向移动电话基站、雷达,应用于 无线电广播传输器以及微波雷达与导航系统。
较小的线圈自感和较大的寄生电容会额外影响变压器的输入输出阻抗,需要增加或调节输入输出的匹配电容来调节阻抗,进而产生额外的阻抗变换),这会影响变压器有效的阻抗变化比和转换后的阻抗相位,也会降低能量传输效率。在本发明实施例中,增加辅次级线圈,可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。本发明实施例还提供了一种通信设备,包括上述任一实施例所提供的射频功率放大器。通信设备中还可以存在其他模块,例如基带芯片、天线电路等,上述的其他模块均可以采用现有技术中已有的模块,本发明实施例不做赘述。虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。阻抗匹配,关系到功率放大器的稳定性、增益;输出功率、带内平坦度、噪声、谐波、驻波、线性等一系列指标 。上海超宽带射频功率放大器价格多少
甲类工作状态:功放大器在信号周期内始终存在工作电流,即导通角0为360度。江苏超宽带射频功率放大器供应商
本发明实施例的技术方案具有以下有益效果:增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。附图说明图1是本发明实施例中的一种射频功率放大器的电路结构图;图2是本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图;图3是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图;图4是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图;图5是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图;图6是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图;图7是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。具体实施方式如上所述,现有技术中,采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa,只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单,缺点是难以实现宽带功率放大器。江苏超宽带射频功率放大器供应商
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