湖北L波段射频功率放大器电话多少

时间:2022年05月25日 来源:

    当射频功率放大器电路处于非负增益模式时,可控衰减电路处于无衰减状态,需要减少对射频功率传导的影响,在应用中需要将输入匹配电路和可控衰减电路隔离。当射频功率放大器电路处于负增益模式时,可控衰减电路处于衰减状态,一部分射频传导能量进入可控衰减电路变成热能消耗掉,另一部分射频传导能量进入功率放大器进行放大(在加强了负反馈的电路基础上,再放大衰减后的射频信号)。本申请实施例中的可控衰减电路处于衰减状态时,整个电路的衰减程度可达到-10db左右。可以理解为,比原来从rfin端进入电路的输入信号,已经衰减了10db。从整体电路的增益特性看,若原来的已经加强负反馈的放大器的增益是0db,那么现在功率放大器的增益就是-10db了。整个电路的负增益由三部分完成:(1)fet的偏置电路向降压降流切换;(2)射频功率放大器电路驱动级的反馈电路向反馈增强切换;(3)输入匹配中可控衰减电路的接地开关打开。其中(1)(2)同时满足时,从设计看整体电路增益低实现0db左右。再加入措施(3),电路可再多衰减10db左右。即满足负增益放大。图2a中的可控衰减电路的结构如图3所示,可控衰减电路包括:串联电感l和并联到地的电阻r和开关sw1。功率放大器因此要尽量采用典型可 靠的电路、合理分配增益、减少放大器的级数,以降低故障概率。湖北L波段射频功率放大器电话多少

    射频前端集成电路领域,具体涉及一种高线性射频功率放大器。背景技术:射频功率放大器的主要参数是线性和效率。线性是表示射频功率放大器能否真实地放大信号的参数。诸如lte和,要求射频前端模块具有极高的线性度,射频功率放大器作为一个发射系统中的重要组成部分,对整个系统的线性度起着至关重要的作用。目前采用cmos器件的射频功率放大器适用于和其他通信部分电路做片上集成,但是难以严格地满足线性度需求。技术实现要素:为了解决相关技术中射频功率放大器的线性度难以满足需求的问题,本申请提供了一种高线性射频功率放大器。技术方案如下:一方面,本申请实施例提供了一种高线性射频功率放大器,包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路,自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的栅极偏置电压;功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端,功率放大器通过匹配网络连接射频输出端;自适应动态偏置电路的输入端连接射频输入端,自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中的共源共栅放大器;其中,自适应动态偏置电路至少由若干个nmos、若干个pmos管、若干个电容和电阻组成。可选的。广西高频射频功率放大器哪里卖射频功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件。

    P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A***129431/3219/22145/215A***10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估计大部分国内的读者没有用过RFIC的芯片,笔者也只是看到一些国外的产品在用。没有Datasheet,也没有BriefIntroduction,只能从官网上了解到部分数据,其中EPM2428是**高的型号,其典型参数为:64QAM情况下可达28dBm@EVM=3%11b情况下可达32dBm,满足频谱模板效率可达20%@28dBm增益可达34dB片上输入/输出匹配RFMDRFMD(与TriQuint合并以后称为Qorvo,但笔者还是喜欢称之为RFMD,Qrovo实在是太拗口了)作为一家老牌的射频器件厂商,相信有些读者比我更了解,但笔者还是决定对RFMD做个简单介绍;RFMicroDevices公司(简称RFMD)是全球的高性能射频元件和化合物半导体技术的设计和制造商。RFMD的产品可用于蜂窝手机,无线基础设施,无线局域网络(WLAN),CATV/宽频及航空航天和**市场,提供增强的连接性,并支持先进的功能。RFMD凭借其多样化的半导体技术以及RF系统专业技能,成为世界的移动设备,客户端和通讯设备制造商的优先供应商。

    比如r53=5kω、r51=1kω、r52=100ω。具体的反馈电路中,每组的电阻两旁各用一个电容,原因是开关两端在具体电路中需要为零的dc电压偏置,故用电容先做隔直处理。反馈电路的反馈深度越大,驱动放大电路增益越低,所用的切换电阻需要越小。这里,反馈电路的切换逻辑如下:高增益模式:开关k51和k52均关断;低增益模式:开关k51接通,k52关断;负增益模式:开关k51和k52均接通。假设射频功率放大器电路在未加入反馈电路时的放大系数为a,反馈电路的反馈系数为f,则加入反馈电路后射频功率放大器电路的放大系数af=a/(1+af),随着反馈电路中等效电阻阻值的降低,反馈系数f变大,反馈深度增加,放大系数af变小,即能实现负反馈电路部分增益的降低。参见图7,t2的漏极(drain)电流偏置电路由内部电流源ib、t6、r6、r7和c12按照图7所示连接而成。t2和t6的宽长比参数w/l成比例关系a(a远大于1),可以使t2的漏极偏置电流近似为a倍的ib。r6、r7和c12组成的t型网络,起到隔离rfin端射频信号的作用。在实际模拟电路中设计电流源,可将ib电流分成多个档位,通过数字寄存器控制切换ib档位,达到t2漏极电流切换的效果。t3的栅极。功率放大器的放大原理主要是将电源的直流功率转化成交流信号功率输出。

    第七电感l7与第五电容c5组成谐振电路。在具体实施中,射频功率放大器还可以包括驱动电路。驱动电路的输入端可以接收输入信号,驱动电路的输出端可以输出差分信号input_p,驱动电路的第二输出端可以输出第二差分信号input_n。驱动电路可以起到将输入信号进行差分的操作,并对输入信号进行驱动,提高输入信号的驱动能力。参照图7,给出了本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。在图7中,增加了驱动电路。可以理解的是,在图1~图6中,也可以通过驱动电路来对输入信号进行差分处理,得到差分信号input_p以及第二差分信号input_n。在具体实施中,匹配滤波电路还可以包括功率合成变压器对应的寄生电容,功率合成变压器对应的寄生电容包括初级线圈与次级线圈之间的寄生电容,该寄生电容可以参与功率合成和阻抗转换。宽带变压器的阻抗变换主要受匝数比、耦合系数k值和寄生电感电容的影响,具有宽带工作的特点,相对于lc网络的阻抗变换网络更容易实现宽带的阻抗变换,因此适用于宽带功率放大器。应用于高集成度射频功率放大器的宽带变压器,因为受实现工艺的影响,往往k值比较小(k值较小会影响能量耦合,即信号转换效率变低),寄生电感电容影响比较大。噪声系数是指输入端信噪比与放大器输出端信噪比的比值,单位常用“dB'’。低频射频功率放大器供应商

微波固态功率放大器通常安装在一个腔体内,由于频率高,往往容易产生寄 生藕合与干扰。湖北L波段射频功率放大器电话多少

    nmos管mn07的漏极和nmos管mn08的漏极分别连接第三变压器t03的原边。在第二主体电路率放大器中源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接,功率放大器栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。如图3所示,nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极为功率放大器的输入端,nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极与激励放大器的输出端连接。nmos管mn15的漏极和nmos管mn16的漏极分别连接第四变压器t04的原边。nmos管mn05的源极、nmos管mn06的源极接地,nmos管mn13的源极、nmos管mn14的源极接地。nmos管mn07的栅极和nmos管mn08的栅极通过电容c06和电感l02接地,nmos管mn15的栅极和nmos管mn16的栅极通过电容c13和电感l05接地。第三变压器t02原边的中端通过电感l03接电源电压vdd,第三变压器t02原边的中端还连接接地电容c08。第四变压器t04原边的中端通过电感l06接电源电压vdd,第四变压器t04原边的中端还连接接地电容c15。本申请实施例提供的高线性射频功率放大器,通过自适应动态偏置电路和两个主体电路,不提高了射频功率放大器的线性度,还提高了射频功率放大器的输出功率。图4示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路对应的偏置电压曲线图。湖北L波段射频功率放大器电话多少

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