闸阀三星半导体

微泰半导体闸阀的特点，首先介绍一下起三重保护的保护环机能，采用铝质材料减少重量，并提高保护环的内部粗糙度，防止工程副产物堆积黏附。提升保护环内部流速设计，保护环逐步收窄，提升流速，防止粉尘黏附。采用三元系O型圈，保证保护环驱动稳定（保证30万次驱动）。微泰半导体闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。微泰，高压闸阀应用于• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）•CVD（化学气相沉积）等设备上。闸阀三星半导体

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀Heating gate valve，加热插板阀，加热闸阀，加热器的加热温度为180-200度（可通过控制器设置温度）-规格：适用双金属（达到200度时，断电后温度下降后重新启动），应用于去除粉末/气体设备。微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。半导体闸阀UMC闸阀多应用于石油、天然气等输送管线上，在半导体加工工程设备上也多用闸阀。

微泰半导体闸阀具有诸多特点：首先，它已向中国台湾的 Micron、UMC、AKT 等，新加坡的 Micron、Global Foundries，马来西亚的英菲尼亚半导体，日本的 Micron、三星半导体等众多设备厂批量供货，且品质得到认可，同时完成了对半导体 Utility 设备和批量生产设备的验证。其次，该闸阀采用陶瓷球机构，具有良好的抗冲击和震动性能，保证可使用 25 万次，且检修方便，维护成本较低。它无 Particle 产生，采用陶瓷球不会有腐蚀和颗粒产生。此外，它还具有屏蔽保护功能，闸阀阀体与挡板之间的距离小于 1mm，能有效防止粉末侵入阀内，寿命为半永久性。其保护环设计也很独特，Protecrion Ring 通过流速上升设计防止粉末凝固，并通过打磨（研磨）工艺防止粉末堆积。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。

微泰，蝶阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰蝶阀其特点是• 主体材料：铝或不锈钢• 紧凑型设计• 高性能集成控制器• 使用维修零件套件轻松维护• 应用：半导体和工业过程的压力控制。蝶阀规格如下：法兰尺寸(内径)：DN40、DN50、馈通：旋转馈通、阀门密封：FKM（VITON）、执行器：步进电机、压力范围：1×10-8 mbar to 1200 mbar 、开启压差：≤ 30 mbar、开启压差≤30mbar、氦泄漏率1X10 -9Mbar/秒、维护前可用次数：250,000次、阀体温度≤ 150 °、控制器≤ 35 °C、材料：阀体STS304/机制STS304、安装位置：任意、接口：RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。高压闸阀，属于强制密封式阀门，所以在阀门关闭时，必须向闸板施加压力，以强制密封面不泄漏。

微泰，大闸阀、大型闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰大闸阀、大型闸阀其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:用于研发和工业的隔离阀。大闸阀、大型闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸（内径）：16˝ ~ 30˝、 法兰型：ISO、JIS、ASA 、馈通：Viton O-Rin、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：可调节、工作压力范围：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、维护前可用次数：10,000 ~ 100,000次、开启时压差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ℓ/sec、阀体温度≤ 150 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：6~ 8 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 为特定的真空系统和工艺选择适当尺寸和类型的真空闸阀对于确保高效运行和可靠的真空完整性至关重要。铝闸阀SHIELD GATE VALVE

真空闸阀属于真空隔离阀类别。但是，它也有可用于控制气流。闸阀三星半导体

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，一、控制系统闸阀。控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。二、蝶阀。该蝶阀具有紧凑的设计和坚固的不锈钢结构，通过闸板旋转操作。蝶阀可以实现精确的压力控制和低真空环境。例如半导体和工业过程。蝶阀通过控制器和步进电机自动控制到用户指定的值，保持一致的真空压力。三、多定位闸阀。多定位闸阀是一种利用压缩空气或氮气控制闸阀位置的阀门。它在阀门的顶部有一个内置控制器，可以在本地和远程模式下操作。它还具有紧急关闭功能，以应对泵停止或CDA压缩干空气丢失的情况。其特点之一是能够远程检查阀门状态，并可用于具有不同法兰类型的各种工艺。多定位闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，适用于需要压力控制的所有加工领域。采用手动调节控制装置控制，用户可直接控制闸门的开启和关闭，以调节压力。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。闸阀三星半导体