佛山通讯温度传感器厂家

时间:2023年10月21日 来源:

    在另一实施例中,也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积,铂热电阻呈连续弓字形结构(如图4所示)。金属铂层30外侧两端淀积有一层第二金属层40,该第二金属层40可为金属铝层,用于从金属铝处引出该温度传感器的输出端子,即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器,利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度,温度传感器的输出端子与显示仪表连接,显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。在一实施例中,因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成有一层钝化层,可对金属层进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在两端的金属铝上方的钝化层开设有通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中,测温单元为一热电偶传感结构,包括:多晶硅层,包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;和第三金属层。由于大多数传感器的选择在温度范围和精度上有重叠,因此传感器的选择将取决于如何将其集成到一个系统中。佛山通讯温度传感器厂家

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    凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。半导体两端的温差不同时,所产生的电动势不同。在本方案中。采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联,可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中,可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。因上述热电偶传感器中上层有金属结构,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还需形成有一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设有通孔。天津进口温度传感器企业双金属片温度传感器随着温度变化,两个金属片产生不同的形变,到达响应温度时,通、断两种状态发生变化。

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    凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。测温单元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的温度传感器性能较好。在其中一个实施例中,所述测温单元包括:金属层,所述金属层为金属铂层,所述金属铂层呈连续弓字形结构;和第二金属层,位于所述金属铂层外侧两端。用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,所述测温单元包括:多晶硅层,包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;和第三金属层,所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联,所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出所述温度传感器的输出端子。附图说明图为一实施例中温度传感器制备方法的方法流程图;图a~c为一实施例中温度传感器制备方法各步骤对应生成的结构剖视图。图为一实施例中温度传感器侧视图。

    产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。步骤s:热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方连接起来,将所述空腔封闭。对开设有沟槽的硅片进行适当的热处理,当硅片被加热到一定温度时,硅原子的振动能较大,导致原子的移动能加强,硅原子会发生迁移。由于硅片上开设有沟槽。且沟槽侧壁的间距较小,当硅原子迁移运动达到一定程度时,硅原子会进入沟槽内,硅片内部的沟槽会发生形变,沟槽上部被硅封闭,若干沟槽中间部位相互连通,形成一空腔(如图b所示)。即空腔处于硅片的中间,空腔的上部和下部均具有硅结构,上下硅结构被空腔隔离开。在一实施例中,热退火的温度可为℃。改变沟槽的间距,可以得到不同形态的空腔,且间距越大,所需的退火温度就越高,但是退火的持续时间不超过min。在本实施例中,沟槽阵列中沟槽之间的间距大于内部沟槽的间距,如此可以避免在空腔边缘处形成缺口。同时,热退火需要在一隔离环境中进行。对于汽车,温度传感器的作用是测量发动机的进气,冷却水,燃油等的温度。

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    用于从金属铝处引出该温度传感器的输出端子,即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器,利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度,温度传感器的输出端子与显示仪表连接,显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。在一实施例中,因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成有一层钝化层,可对金属层进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在两端的金属铝上方的钝化层开设有通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中,测温单元为一热电偶传感结构,包括:多晶硅层,包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;和第三金属层。第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,n型多晶硅和p型多晶硅通过金属结构串联,第三金属层还包括位于多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示,氧化硅薄膜上形成有一层多晶硅层。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。进口温度传感器,认准深圳市美信美科技。广东模拟温度传感器原理

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    需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器制备方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离,空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果,因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉。简化了制备过程。节约制备时间,节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低,将测温单元制备在氧化硅薄膜上,具有较好的测温效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。使温度传感器性能更加稳定。还涉及一种温度传感器,包括:基底。佛山通讯温度传感器厂家

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