河南模组封装工艺

PoP封装技术有以下几个有点：1）存储器件和逻辑器件可以单独地进行测试或替换，保障了良品率；2）双层POP封装节省了基板面积, 更大的纵向空间允许更多层的封装；3）可以沿PCB的纵向将Dram,DdramSram,Flash,和 微处理器进行混合装联；4）对于不同厂家的芯片, 提供了设计灵活性,可以简单地混合装联在一起以满足客户的需求，降低了设计的复杂性和成本；5）目前该技术可以取得在垂直方向进行层芯片外部叠加装联；6）顶底层器件叠层组装的电器连接，实现了更快的数据传输速率，可以应对逻辑器件和存储器件之间的高速互联。不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使 SiP 的封装形态产生多样化的组合。河南模组封装工艺

基板的分类：封装基板的分类有很多种，目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。结构分类：刚性基板材料和柔性基板材料。增强材料分类：有有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）和复合系；基板的处理，基板表面处理方式主要有：热风整平、有机可焊性保护涂层、化学镍金、电镀金。化学镍金：化学镍金是采用金盐及催化剂在80~100℃的温度下通过化学反应析出金层的方法进行涂覆的，成本比电镀低，但是难以控制沉淀的金属厚度，表面硬并且平整度差，不适合作为采用引线键合工艺封装基板的表面处理方式。安徽半导体芯片封装方案SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。

对于堆叠结构，可以区分如下几种：芯片堆叠、PoP、PiP、TSV。堆叠芯片，是一种两个或更多芯片堆叠并粘合在一个封装中的组装技术。这较初是作为一种将两个内存芯片放在一个封装中以使内存密度翻倍的方法而开发的。 无论第二个芯片是在头一个芯片的顶部还是在它旁边，都经常使用术语“堆叠芯片”。技术已经进步，可以堆叠许多芯片，但总数量受到封装厚度的限制。芯片堆叠技术已被证明可以多达 24 个芯片堆叠。然而，大多数使用9 芯片高度的堆叠芯片封装技术的来解决复杂的测试、良率和运输挑战。芯片堆叠也普遍应用在传统的基于引线框架的封装中，包括QFP、MLF 和 SOP 封装形式。如下图2.21的堆叠芯片封装形式。

SiP还具有以下更多优势：可靠性 – 由于SiP与使用分立元件（如IC或无源器件）的PCB系统非常相似，因此它们至少具有相同的预期故障概率。额外的可靠性来自所涉及的封装，这可以增强系统并为设备提供更长的使用寿命。一个例子是使用模塑来封装系统，从而保护焊点免受物理应力的影响。天线集成 – 在许多无线应用（蓝牙、WiFi）中，都需要天线。在系统级封装解决方案中，天线可以集成到封装中，与RF IC的距离非常短，从而确保无线解决方案的更高性能。但是，对于完整的视图，我们必须承认SiP也可能有一些缺点。先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。

与MCM相比，SiP一个侧重点在系统，能够完成单独的系统功能。除此之外，SiP是一种集成概念，而非固定的封装结构，它可以是2D封装结构、2.5D封装结构及3D封装结构。可以根据需要采用不同的芯片排列方式和不同的内部互联技术搭配，从而实现不同的系统功能。一个典型的SiP封装芯片如图所示。采用SiP封装的芯片结构图SiP封装可以有效解决芯片工艺不同和材料不同带来的集成问题，使设计和工艺制程具有较好的灵活性。与此同时，采用SiP封装的芯片集成度高，能减少芯片的重复封装，降低布局与排线的难度，缩短研发周期。随着集成的功能越来越多，PCB承载的功能将逐步转移到SIP芯片上。安徽芯片封装精选厂家

微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。河南模组封装工艺

SiP系统级封装(SiP)制程关键技术，高密度打件，在高密度打件制程方面，云茂电子已达到约为婴儿发丝直径的40μm。以10x10被动组件数组做比较，大幅缩减超过70%的主板面积，其中的40%乃源自于打件技术的突破。 塑封 由于高密度打件采用微小化元器件与制程，因此元器件与载板之间的连结，吃锡量大幅减少，为提高打件可靠度，避免外界湿度、高温及压力等影响，塑封制程可将完整的元器件密封包覆在载板上。相较于一般委外封测(OSAT)塑封约100颗左右，云茂电子的系统级封装塑封技术，则是可容纳高达900颗组件。 河南模组封装工艺