湖北IPM封装技术

SMT制程在SIP工艺流程中的三部分都有应用：1st SMT PCB贴片 + 3rd SMT FPC贴镍片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效机理，主要失效模式：(1) 焊接异常：IC引脚锡渣、精密电阻连锡。Ø 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）胶填充不佳，导致锡进入IC引脚或器件焊盘间空洞造成短路。(2) 机械应力损伤：MOS芯片、电容裂纹。Ø 原因分析：(1) SiP注塑后固化过程产生的应力;（2）设备/治具产生的应力。(3) 过电应力损伤：MOS、电容等器件EOS损伤。Ø 原因分析：PCM SiP上的器件受电应力损伤（ESD、测试设备浪涌等）。封装基板的分类有很多种，目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。湖北IPM封装技术

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。湖北IPM封装技术随着SiP系统级封装、3D封装等先进封装的普及，对固晶机设备在性能方面提出了更高的需求。

浅谈系统级封装(SiP)的优势及失效分析，半导体组件随着各种消费性通讯产品的需求提升而必须拥有更多功能，组件之间也需要系统整合。因应半导体制程技术发展瓶颈，系统单芯片（SoC）的开发效益开始降低，异质整合困难度也提高，成本和所需时间居高不下。此时，系统级封装（SiP）的市场机会开始随之而生。 采用系统级封装(SiP)的优势，SiP，USI 云茂电子一站式微小化解决方案，相较于SoC制程，采用系统级封装(SiP)的较大优势来自于可以根据功能和需求自由组合，为客户提供弹性化设计。以较常见的智能型手机为例，常见的的功能模块包括传感器、Wi-Fi、BT/BLE、RF FEM、电源管理芯片…...等。而系统级封装即是将这些单独制造的芯片和组件共同整合成模块，再从单一功能模块整合成子系统，再将该系统安装到手机系统PCB上。

对于堆叠结构，可以区分如下几种：芯片堆叠、PoP、PiP、TSV。堆叠芯片，是一种两个或更多芯片堆叠并粘合在一个封装中的组装技术。这较初是作为一种将两个内存芯片放在一个封装中以使内存密度翻倍的方法而开发的。 无论第二个芯片是在头一个芯片的顶部还是在它旁边，都经常使用术语“堆叠芯片”。技术已经进步，可以堆叠许多芯片，但总数量受到封装厚度的限制。芯片堆叠技术已被证明可以多达 24 个芯片堆叠。然而，大多数使用9 芯片高度的堆叠芯片封装技术的来解决复杂的测试、良率和运输挑战。芯片堆叠也普遍应用在传统的基于引线框架的封装中，包括QFP、MLF 和 SOP 封装形式。如下图2.21的堆叠芯片封装形式。系统级封装（SiP）技术是通过将多个裸片（Die）及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。

「共形」及「分段型」屏蔽，另一方面，系统级封装模块需要高密度整合上百颗电子组件，同时避免与PCB主板上其他组件相互干扰。此外，在模块外部也必须解决相同的干扰问题。因此，必须透过一项重要制程来形成组件之间的屏障，业界称之为共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。 在业界普遍常见的金属屏蔽罩，每一段均需要保留约1mm宽度的焊盘与排除区域 (Keep-Out Zone)，云茂电子的共形及分段型屏蔽只需10%的宽度。以一个多频4G模块为例，可为其他组件腾出超过17%的空间，并可屏蔽40-50 dB的电磁干扰。 SiP (System in Package, 系统级封装）主要应用于消费电子、无线通信、汽车电子等领域。江西半导体芯片封装定制

SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。湖北IPM封装技术

SiP系统级封装需求主要包括以下几个方面：1、稳定的力控制：在固晶过程中，需要对芯片施加一定的压力以确保其与基板之间的良好连接。然而，过大的压力可能导致芯片损坏，而过小的压力则可能导致连接不良。因此，固晶设备需要具备稳定的力控制能力，以确保施加在芯片上的压力恰到好处。2、温度场及变形的控制：在固晶过程中，温度的变化和基板的变形都可能影响芯片的位置和连接质量。因此，固晶设备需要具备对温度场和基板变形的控制能力，以确保在整个固晶过程中温度和变形的稳定。湖北IPM封装技术