上海SIP封装方式

PoP封装技术有以下几个有点：1）存储器件和逻辑器件可以单独地进行测试或替换，保障了良品率；2）双层POP封装节省了基板面积, 更大的纵向空间允许更多层的封装；3）可以沿PCB的纵向将Dram,DdramSram,Flash,和 微处理器进行混合装联；4）对于不同厂家的芯片, 提供了设计灵活性,可以简单地混合装联在一起以满足客户的需求，降低了设计的复杂性和成本；5）目前该技术可以取得在垂直方向进行层芯片外部叠加装联；6）顶底层器件叠层组装的电器连接，实现了更快的数据传输速率，可以应对逻辑器件和存储器件之间的高速互联。随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。上海SIP封装方式

根据国际半导体路线组织（ITRS）的定义： SiP（System-in-package）为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。SiP技术特点：组件集成，SiP可以包含各种类型的组件，如：数字和模拟集成电路，无源元件（电阻、电容、电感），射频（RF）组件，功率管理模块，内存芯片（如DRAM、Flash），传感器和微电机系统（MEMS）。上海SIP封装方式SiP封装为芯片提供支撑，散热和保护，同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。

SMT制程在SIP工艺流程中的三部分都有应用：1st SMT PCB贴片 + 3rd SMT FPC贴镍片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效机理，主要失效模式：(1) 焊接异常：IC引脚锡渣、精密电阻连锡。Ø 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）胶填充不佳，导致锡进入IC引脚或器件焊盘间空洞造成短路。(2) 机械应力损伤：MOS芯片、电容裂纹。Ø 原因分析：(1) SiP注塑后固化过程产生的应力;（2）设备/治具产生的应力。(3) 过电应力损伤：MOS、电容等器件EOS损伤。Ø 原因分析：PCM SiP上的器件受电应力损伤（ESD、测试设备浪涌等）。

近年来，SiP (System in Package, 系统级封装）主要应用于消费电子、无线通信、汽车电子等领域，特别是以苹果、华为、荣耀、小米为表示的科技巨头的驱动下，SiP技术得到迅速的发展。随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高，这种封装方法的应用领域逐渐扩展到工业控制、智能汽车、云计算、医疗电子等许多新兴领域。从封装本身的角度看，SiP可以有效地缩小芯片系统的体积，提升产品性能，尤其适合消费类电子产品的应用，越来越被市场所重视，也成为未来热门的封装技术发展方向之一。在当前时代，Sip系统级封装（System-in-Package）技术崭露头角。

SiP封装工艺介绍，SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装，采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先进的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介层）将裸晶通过TSV（硅穿孔工艺）与基板结合。SIP模组能够减少仓库备料的项目及数量，简化生产的步骤。上海SIP封装方式

Sip系统级封装通过将多个裸片（Die）和无源器件融合在单个封装体内，实现了集成电路封装的创新突破。上海SIP封装方式

SiP芯片成品的制造过程，系统级封装（SiP）技术种类繁多，本文以双面塑封SiP产品为例，简要介绍SiP芯片成品的制造过程。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。无源器件贴片，倒装芯片封装（Flip Chip）贴片——裸片（Die）通过凸点（Bump）与基板互连，回流焊接（正面）——通过控制加温熔化封装锡膏达到器件与基板间的键合焊线，键合（Wire Bond）——通过细金属线将裸片与基板焊盘连接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保护裸片及元器件。上海SIP封装方式