半导体芯片封装厂商

合封电子、芯片合封和SiP系统级封装经常被提及的概念。但它们是三种不同的技术，还是同一种技术的不同称呼？本文将帮助我们更好地理解它们的差异。合封电子与SiP系统级封装的定义，首先合封电子和芯片合封都是一个意思合封电子是一种将多个芯片（多样选择）或不同的功能的电子模块（LDO、充电芯片、射频芯片、mos管）封装在一起的定制化芯片，从而形成一个系统或者子系统。以实现更复杂、更高效的任务。云茂电子可定制组成方式包括CoC封装技术、SiP封装技术等。不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合。半导体芯片封装厂商

合封芯片的功能，性能提升，合封芯片：通过将多个芯片或模块封装在一起，合封芯片可以明显提高数据处理速度和效率。由于芯片之间的连接更紧密，数据传输速度更快，从而提高了整体性能。稳定性增强，合封芯片：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，合封芯片可以减少故障率。功耗降低、开发简单，合封芯片：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，云茂电子可以降低整个系统的功耗。此外，通过优化内部连接和布局，可以进一步降低功耗。防抄袭，多个芯片和元器件模块等合封在一起，就算被采购，也无法模仿抄袭。半导体芯片封装厂商不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使 SiP 的封装形态产生多样化的组合。

2.5D SIP，2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度，因为其集成密度超越了2D，但又达不到3D集成密度，取其折中，因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域，2.5D是特指采用了中介层（interposer）的集成方式，中介层目前多采用硅材料，利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构：所有芯片和无源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上，在XY平面的上方有中介层的布线和过孔，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接：中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲，中介层可以有TSV也可以没有TSV，但在进行高密度互连时，TSV几乎是不可或缺的，中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。

构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。前者包括基板，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一块IC)。后者包括传统封装工艺(Wirebond和FlipChip)JI和SMT设备。无源器件是SiP的一个重要组成部分，其中一些可以与载体集成为一体(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、数值高的电感、电容等)通过SMT组装在载体上。SiP的主流封装形式是BGA。就目前的技术状况看，SiP本身没有特殊的工艺或材料。这并不是说具备传统先进封装技术就掌握了SiP技术。由于SiP的产业模式不再是单一的代工，模块划分和电路设计是另外的重要因素。SiP模组是一个功能齐全的子系统，它将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个封装中。

SiP系统级封装需求主要包括以下几个方面：1、精度：先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。因此，固晶设备需要具备高精度的定位和控制能力，以确保每个芯片都能准确地放置在预定的位置上。2、速度：先进封装的生产效率对于封装成本和产品竞争力有着重要影响。因此，固晶设备需要具备高速度的生产能力，以提高生产效率并降低成本。3、良品率：先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。因此，固晶设备需要具备高良品率的生产能力，以确保封装的质量和可靠性。在固晶过程中，需要对芯片施加一定的压力以确保其与基板之间的良好连接。半导体芯片封装厂商

SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。半导体芯片封装厂商

系统级封装的简短历史，在1980年代，SiP以多芯片模块的形式提供。它们不是简单的将芯片放在印刷电路板上，而是通过将芯片组合到单个封装中来降低成本和缩短电信号需要传输的距离，通过引线键合进行连接的。半导体开发和发展的主要驱动力是集成。从SSI（小规模集成 - 单个芯片上的几个晶体管）开始，该行业已经转向MSI（中等规模集成 - 单个芯片上数百个晶体管），LSI（大规模集成 - 单个芯片上数万个晶体管），ULSI（超大规模集成 - 单个芯片上超过一百万个晶体管），VLSI（超大规模集成 - 单个芯片上数十亿个晶体管），然后是WSI（晶圆级集成 - 整体）晶圆成为单个超级芯片）。所有这些都是物理集成指标，没有考虑所需的功能集成。因此，出现了几个术语来填补空白，例如ASIC（专门使用集成电路）和SoC（片上系统），它们将重点转移到更多的系统集成上。半导体芯片封装厂商