代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4780C
RB521C30：肖特基势垒二极管
· 重复峰值反向电压 VRM 30 V
· 直流反向电压 VR 30 V
· 平均整流正向电流 IO 100 mA
产品特性：
100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。
低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。
低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。
小型SOD-923封装：这款二极管采用紧凑的SOD-923封装，使其适合在空间受限的应用中使用，如便携式设备和小型电路板。
应用领域：
RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中，它能够将交流信号转换为直流信号，这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性，它特别适用于需要高效能和低功耗的场合，如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外，其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2815D30-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4780C
ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述
ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止因静电放电（ESD）而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311Z可用于提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
截止电压：5V
每条线路根据IEC61000-4-2（ESD）标准进行瞬态保护：±20kV（接触放电）
根据IEC61000-4-4（EFT）标准进行瞬态保护：40A（5/50ns）
根据IEC61000-4-5（浪涌）标准进行瞬态保护：4A（8/20μs）
极低电容：CJ=0.25pF（典型值）
极低漏电流：IR<1nA（典型值）
低钳位电压：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）
应用领域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311Z专为高速数据接口设计，极低电容，出色保护，防止静电放电损害。适用于USB、HDMI等接口，保护敏感组件。紧凑封装，适合便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56031NWAS7227Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：WQFN-10(1.4x1.8)。
WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET
产品描述
WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装
产品特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性：
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用：
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS4768Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN-10(1.8x1.4)。
ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311X可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准，能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装，为标准无铅且无卤素产品。
主要特性：
截止电压：5V
根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）
根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）
极低电容：CJ=0.25pF（典型值）
极低漏电流：IR<1nA（典型值）
低钳位电压：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）
固态硅技术
应用领域：
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流，保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口，确保数据传输的稳定性。紧凑、环保，广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息，请查阅手册或联系我们。 WS72552S-8/TR 运算放大器 封装：SOP-8。规格书WILLSEMI韦尔SPD91011W
WL2836D30-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:DFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4780C
WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中，WS72551是单放大器，WS72552是双放大器，分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度，并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围（-40°C至+125°C）。封装72551：MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8 SOIC8。
技术特性：偏移电压只有3μV，漂移为0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常适合于无法容忍误差源的应用。温度、位置和压力传感器、医疗设备和应变计放大器在其工作温度范围内几乎无漂移，因此受益匪浅。WS72551/WS72552提供的轨到轨输入和输出摆动使得高侧和低侧感测都变得容易。
应用领域：
温度传感器
压力传感器
精密电流感测
应变计放大器
医疗仪器
热电偶放大器
WS72551/WS72552系列零漂移放大器具备极低偏移和漂移、高精度以及轨到轨输入输出摆动等特性，适用于温度、压力、电流感测等多种应用，为工程师提供高精度测量解决方案。紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4780C