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RB521C30：肖特基势垒二极管
· 重复峰值反向电压 VRM 30 V
· 直流反向电压 VR 30 V
· 平均整流正向电流 IO 100 mA
产品特性：
100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。
低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。
低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。
小型SOD-923封装：这款二极管采用紧凑的SOD-923封装，使其适合在空间受限的应用中使用，如便携式设备和小型电路板。
应用领域：
RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中，它能够将交流信号转换为直流信号，这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性，它特别适用于需要高效能和低功耗的场合，如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外，其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5341N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5682E24
WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET
产品描述：
WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。
产品特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 锂离子电池保护电路
WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD73311CZWL2805N33-3/TR 线性稳压器（LDO）封装：SOT-23-3L。
WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器
产品描述：
WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）
高精度参考电压1.2MHz开关频率
高达93%的效率
超过1A（至小值）的功率开关电流限制
从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出
内置软启动
应用领域：
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
平板电脑（PADs）
WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。
WD3168：5V/300mA开关电容电压转换器，它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下，它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时，WD3168会进入跳模模式，此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压，从而节省PCB空间。
此外，其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能，适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装，并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。
其主要特性包括：
1、 输出电流为300mA
2、宽输入电压范围：2.7V至5.5V
3、固定输出电压为5.0V
4、双倍电荷泵
5、较小外部元件：无需电感器
6、高频操作：1.7MHz
7、自动软启动限制涌入电流
8、低纹波和EMI
9、过热和过流保护
10、无负载条件下典型静态电流为170uA（跳模模式）
其应用领域包括：
1、3V至5V的升压转换
2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电
3、从较低轨道提供的本地5V供电
4、电池备份系统
5、手持便携式设备
WD3168是一种效率高、可靠的电源IC，适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 WS74199Q-10/TR 电流感应放大器 封装：WQFN-10(1.4x1.8)。
ES9DN12BA瞬态电压抑制器
ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性：
· 截止电压：±12V。
· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）
· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）
· 典型电容：CJ=27pF
· 极低泄漏电流：IR=0.1nA
· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。
· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。
应用：
· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。
· 手机
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM3401-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23-3L。代理分销商WILLSEMI韦尔WS72541
WL2862E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5682E24
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚具有过压保护功能，允许引脚上的电压超过VCC，至高可达7.0V，而不会损坏部件或影响其操作，无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路，以至小化VCC泄漏电流，即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之，在实际应用中，无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装，标准产品为无铅和无卤素。
特性：
· 电源电压：1.5~5.5V
· 导通电阻：在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB
· 带宽：在CL=5pF时为400MHz
· 断开隔离度：在10MHz时为-69dB
· 低静态电流：<1uA
· 先断后合功能ESD保护：HBM为±8000V，MM为±600V
应用领域：
· 手机
· MID（移动互联网设备）
· 其他便携式设备
WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案，适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5682E24