天津半导体芯片特种封装流程

封装基板的结构，封装基板的主要功能是实现集成电路芯片外部电路、电子元器件之间的电气互连。有核封装基板可以分为芯板和外层线路，而有核封装基板的互连结构主要包括埋孔、盲孔、通孔和线路。无核封装基板的互连结构则主要包括铜柱和线路。无核封装基板制作的技术特征主要是通过自下而上铜电沉积技术制作封装基板中互连结构—铜柱、线路。相比于埋孔和盲孔，铜柱为实心铜金属圆柱体结构，在电气传输方面性能更加优良，铜柱的尺寸也远低于盲孔的尺寸，直接在40μm左右。SO类型封装有很多种类，可以分为：SOP、TOSP、SSOP、VSOP、SOIC等类似于QFP形式的封装。天津半导体芯片特种封装流程

防震封装。防震封装是通过加装防震材料、减震垫等手段来保护产品或设备在搬运、运输、使用过程中不受振动、冲击等因素的影响，以达到减少故障率、延长寿命的目的。防震封装普遍应用于航天、航空、交通等领域中对产品、设备的保护。综上所述，特种封装形式的应用范围普遍，具有防潮、防爆、防震等多种特点，可以有效提高产品、设备的安全性和可靠性。作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT应用非常普遍，如家用电器、电动汽车、铁路、充电基础设施、充电桩，光伏、风能，工业制造、电机驱动，以及储能等领域。总体来说，制作电源需要的器件封装种类较多，需要选择适合自己需求的封装类型，并根据实际情况选用合适的器件。制作电源时，还需要注意器件的较大电压、较大电流等参数，以保证电源的正常工作。湖南芯片特种封装测试LGA封装为底部方形焊盘，区别于QFN封装，在芯片侧面没有焊点，焊盘均在底部。

到了PCB这一层次，电子系统的功能已经比较完备，尺度也已经放大适合人类操控的地步，加上其他的部件，就构成了人们较常用的系统——常系统 (Common System)，例如我们每天接触的手机或电脑。国内IC封装业起步早、发展快，但目前仍以传统封装为主。虽然近年中国本土先进封测四强（长电、通富、华天、晶方科技）通过自主研发和兼并收购，已基本形成先进封装的产业化能力，但从先进封装营收占总营收的比例和高密度集成等先进封装技术发展上来说，中国总体先进封装技术水平与国际先进水平还有一定的差距。

集成电路包括IDM和垂直分工两种模式，目前垂直分工模式逐渐崛起。IDM作为垂直产业链一体化模式，由一家厂商完成设计、制造、封测三个环节，表示厂商包括英特尔、三星、德州仪器、意法半导体等。垂直分工模式下三个环节分别由专门的厂商完成，全球IC设计企业包括高通、博通、联发科、华为海思等；IC制造企业主要有台积电、中芯国际等；IC封装测试企业主要有日月光、安靠、长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技等。由于集成电路行业投资巨大，垂直分工模式下企业能够降低运营和研发风险，随着fabless模式在集成电路领域兴起，垂直分工模式逐渐崛起。常见的模块封装有PLCC、QFN、SIP和SMT等封装。

功率器件模块封装结构演进趋势，IGBT作为重要的电力电子的主要器件，其可靠性是决定整个装置安全运行的较重要因素。由于IGBT采取了叠层封装技术，该技术不但提高了封装密度，同时也缩短了芯片之间导线的互连长度，从而提高了器件的运行速率。按照封装形式和复杂程度，IGBT产品可以分为裸片DIE、IGBT单管、IGBT模块和IPM模块。1、裸片DIE：由一片晶圆切割而成的多颗裸片DIE；2、IGBT单管：由单颗DIE封装而成的IGBT分立器件，电流能力小，适用于家电等领域；3、IGBT模块：由多颗DIE并联封装而成，功率更大、散热能力更强，适用于新能源汽车、高铁、光伏发电等大功率领域；4、IPM模块：在IGBT模块外部增加其他功能的智能功率模块（IPM）。特种封装指芯片特种外形封装，和一般的芯片封装不同。天津半导体芯片特种封装流程

D-PAK 封装由一个塑料外壳和多个引脚组成，外形类似于一个长方形盒。天津半导体芯片特种封装流程

IC设计趋势大致朝着高集成化、快速化、多功能化、低耗能化及高频化发展，对应的半导体封装基板呈现出“四高一低”的发展趋势，即高密度布线、高速化和高频化、高导通性、高绝缘可靠性、低成本性。在近年的电子线路互连结构制造领域，相比于蚀刻铜箔技术（减成法），半加成法主要采用精确度更高、绿色的电沉积铜技术制作电子电路互连结构。近十几年来，在封装基板或者说整个集成电路行业，互连结构主要是通过电沉积铜技术实现的，其原因在于金属铜的高性能和低价格，避免了蚀刻铜流程对互连结构侧面蚀刻，铜的消耗量减少，互连结构的精细度和完整性更好，故电沉积铜技术是封装基板制作过程中极其重要的环节。天津半导体芯片特种封装流程