湖南半导体芯片特种封装定制

大模块金属封装，大模块金属封装通常用于高功率、高电压、大电流等特殊场合，具有散热性能好、结构稳定、安全可靠等特点。大模块金属封装的逐步普及和应用，为工业自动化和能源节约提供了可靠的技术支持。如图7所示为两种大模块金属封装模块。大模块金属封装的焊接设备，可采用GHJ-5大模块平行滚焊机，该机手套箱配真空烘烤富室，加热板设定温度可到180摄氏度，采用双加热板内加热的方式；烘烤真空度保持在20-50Pa范围；适用于边长5~300mm扁平式金属壳座的封装及光电器件的蝶形封装，可以存储不同元器件的相关参数，实现一键切换。QFN封装属于引线框架封装系列。湖南半导体芯片特种封装定制

IGBT封装工艺流程，IGBT模块封装流程简介，1、丝网印刷：将锡膏按设定图形印刷于散热底板和DBC铜板表面，为自动贴片做好前期准备 印刷效果；2、自动贴片：将IGBT芯片与FRED芯片贴装于DBC印刷锡膏表面；IGBT封装环节包括：丝网印、贴片、键合、功能测试等环节。这其中任何一个看似简单的环节，都需要高水准的封装技术和设备配合完成。例如贴片环节，将IGBT芯片与FRED芯片贴装于DBC印刷锡膏表面。这个过程需要对IGBT芯片进行取放，要确保贴片良率和效率，就要求以电机为主要的贴片机具有高速、高频、高精力控等特点。四川专业特种封装工艺防潮封装广泛应用于电子元器件、仪器仪表、精密机械等领域。

常见封装种类：1. IC封装，IC(Integrated Circuit)封装是将多个半导体器件（二极管、三极管、MOS管、电容、电阻等）或部分电子电路信号处理、控制等功能组成的芯片封装在一起，形成一个具有特定功能的微型晶体管电路器件。常见IC封装类型有基础封装，如DIP、QFP和BGA等，以及新型封装，如CSP和WLP等。2. 模块封装，模块封装是将封装芯片、器件和电路封装在一起，形成一个新的电器模块。常见的模块封装有PLCC、QFN、SIP和SMT等封装。3. 裸芯封装，裸芯封装（Die级封装）是将芯片直接封装，不需要任何基板，常见的裸芯封装有UFBGA、QUAD、SLIM、SOP和SOS等。

半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Waferlevelpackage），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封装（TSV）等先进封装技术。先进封装技术在提升芯片性能方面展现的巨大优势，吸引了全球各大主流IC封测厂商在先进封装领域的持续投资布局。近些年，先进封装技术不断涌现，新名词也层出不穷，让人有些眼花缭乱，目前可以列出的先进封装相关的名称至少有几十种。说到这里需要简单介绍一下所谓的“BGA焊球”。SMD封装是表面贴装技术（SMT）中较常用的封装形式。

CSP封装，CSP的全称为 Chip Scale Package，为芯片尺寸级封装的意思。它是BGA进一步微型化的产物，做到裸芯片尺寸有多大，封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片长度的1.2倍，IC面积只比晶粒（Die）大不超过1.4倍。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经非常接近于1:1的理想情况。在相同的芯片面积下，CSP所能达到的引脚数明显地要比TSOP、BGA引脚数多得多。TSOP较多为304根引脚，BGA的引脚极限能达到600根，而CSP理论上可以达到1000根。由于如此高度集成的特性，芯片到引脚的距离较大程度上缩短了，线路的阻抗明显减小，信号的衰减和干扰大幅降低。CSP封装也非常薄，金属基板到散热体的有效散热路径只有0.2mm，提升了芯片的散热能力。不同的 MOS 管封装类型有各自的应用情况和优缺点。深圳防潮特种封装价位

使用金属 TO 外壳封装可实现 25Gbit/s 以上传输速率。湖南半导体芯片特种封装定制

功率器件模块封装结构演进趋势，IGBT作为重要的电力电子的主要器件，其可靠性是决定整个装置安全运行的较重要因素。由于IGBT采取了叠层封装技术，该技术不但提高了封装密度，同时也缩短了芯片之间导线的互连长度，从而提高了器件的运行速率。按照封装形式和复杂程度，IGBT产品可以分为裸片DIE、IGBT单管、IGBT模块和IPM模块。1、裸片DIE：由一片晶圆切割而成的多颗裸片DIE；2、IGBT单管：由单颗DIE封装而成的IGBT分立器件，电流能力小，适用于家电等领域；3、IGBT模块：由多颗DIE并联封装而成，功率更大、散热能力更强，适用于新能源汽车、高铁、光伏发电等大功率领域；4、IPM模块：在IGBT模块外部增加其他功能的智能功率模块（IPM）。湖南半导体芯片特种封装定制