山西芯片封装定制
模拟模块无法从较低的工艺集成中受益。正因为如此,并且由于试图将模拟模块保留在sperate工艺技术(BCD,BiCMOS,SiGe)上的复杂性增加,这使得SiP成为缩小系统尺寸的更具吸引力的选择。天线、MEMS 传感器、无源元件(例如:大电感器)等外部器件无法装入 SoC。因此,工程师需要使用SiP技术为客户提供完整的解决方案。交付模块而不是芯片是一种趋势,由于无线应用(如蓝牙模块)而开始,以帮助客户快速进入市场,而无需从头开始设计。相反,他们使用由整个系统组成的SiP模块。由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展,传统的失效分析方法已不能完全适应。山西芯片封装定制
SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术,封装成型可依据客户设计制作不同形状模块,甚至是3D立体结构,藉此可将整体尺寸缩小,预留更大空间放置电池,提供更大电力储存,延长产品使用时间,但功能更多、速度更快,因此特别适用于射频相关应用如5G毫米波模块、穿戴式装置及汽车电子等领域。微小化制程三大关键技术,在设计中元器件的数量多寡及排布间距,即是影响模块尺寸的较主要关键。要能够实现微小化,较重要的莫过于三项制程技术:塑封、屏蔽及高密度打件技术。山西芯片封装定制SiP 封装采用超薄的芯片堆叠与TSV技术使得多层芯片的堆叠封装体积减小。
SiP模块可靠度及失效分析,由于内部线路和基板之间的复杂链接,当模块出现问题时,分析微米级组件的异常变得特别具有挑战性,尤其是在电性测试期间,其他部件的导电性会影响测定结果。而且某些异常污染可能光只有几奈米的厚度,如:氧化或微侵蚀,使用一般的光学或电子显微镜根本无法发现。为了将制程问题降至较低,云茂电子在SiP模块失效分析领域持续强化分析能力,以X射线检测(3D X–ray)、材料表面元素分析(XPS) 及傅立叶红外线光谱仪(FTIR)等三大品管仪器找出解决之道。
封装(Package),是把晶圆上切下来的裸片装配为芯片较终产品的过程,简单地说,就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上,把管脚引出来,然后固定包装成为一个整体。作为动词,“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作;作为名词,“封装”主要关注封装的形式、类别、基底、外壳、引线材料,强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。SiP封装是将不同功能的裸芯片,包括CPU、GPU、存储器等集成在一个封装体内,从而实现一整个芯片系统。SIP板身元件尺寸小,密度高,数量多,传统贴片机配置难以满足其贴片要求。
2.5D SIP,2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度,因为其集成密度超越了2D,但又达不到3D集成密度,取其折中,因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域,2.5D是特指采用了中介层(interposer)的集成方式,中介层目前多采用硅材料,利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构:所有芯片和无源器件均在XY平面上方,至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上,在XY平面的上方有中介层的布线和过孔,在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接:中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲,中介层可以有TSV也可以没有TSV,但在进行高密度互连时,TSV几乎是不可或缺的,中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。通信SiP在无线通信领域的应用较早,也是应用较为普遍的领域。山西芯片封装定制
汽车电子里的 SiP 应用正在逐渐增加。山西芯片封装定制
植入锡球的BGA封装:① 植球,焊锡球用于高可靠性产品(汽车电子)等的倒装芯片连接,使用的锡球大多为普通的共晶锡料。植入锡球的BGA封装,工艺流程:使用焊锡球吸附夹具对焊锡球进行真空吸附,该夹具将封装引脚的位置与装有焊锡球的槽对齐,通过在预先涂有助焊剂的封装基板的引脚位置植入锡球来实现。SIP:1、定义,SIP(System In Package)是将具有各种特定功能的LSI封装到一个封装中。而系统LSI是将单一的SoC(System on Chip)集成到一个芯片中。2、Sip封装类型:① 通过引线缝合的芯片叠层封装,② 充分利用倒装焊技术的3D封装。山西芯片封装定制
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