国内HTOL测试机私人定做

    技术实现要素：本发明提供了一种闪存htol测试方法，以解决闪存htol测试中读点失效的问题。本发明提供的闪存htol测试方法，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。进一步的，所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极，位于所述导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅，所述栅极单元的两侧分布有侧墙。 上海顶策科技有限公司提供芯片可靠性测试一条龙解决方案。国内HTOL测试机私人定做

本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图；发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中，具体标号如下：100-衬底；101-源极；102-漏极；103-隧穿氧化层；104-浮栅；105-栅间介质层；106-控制栅；107-侧墙；具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法，以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例，*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图，HTOL测试机型号上海顶策科技TH801智能老化系统，实时监测并记录环境温度，具体到每颗芯片的状态数据。

    HTOL的注意要点高温工作寿命的测试条件主要遵循JESD22-A108进行，除了给器件合适的偏置与负载外，主要包括温度应力和电压应力，这两者都属于加速因子。合理设置温度应力和电压应力，以便在合理的时间和成本下完成寿命评估。对于硅基产品，温度应力一般设置在结温>=125℃，GaAs等其它耐高温材料则可以设置更高的温度，具体根据加速要求而定。但无论哪种材料，均需要结温小于材料的极限工作温度或者热关断（thermalshutdown）温度。HTOL硬件的散热设计有利于加速因子的提高，这样可以节省试验时间。电压应力一般采用最高工作电压进行，如果需要提高加速度，则可以采用更高的电压进行试验，但是无论电压应力还是温度应力都不允许器件处于过电应力的状态。

包括：将所述源极101和漏极102均悬空，在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1，在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2；其中，所述***擦除电压vc1为负电压，所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v～-8v，本实施例中例如为-9v；所述第二擦除电压vc2的范围为8v～10v，本实施例中例如为9v；擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。本实施例中，闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿)，通过在衬底100上施加正电压，在控制栅106上施加负电压，以在隧穿氧化层103中注入空穴，同时减少浮栅104中的电子。上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801可以为芯片HTOL测试节省更多时间、FA成本。

上海顶策科技有限公司（Topictest）推出的TH801，智能在线监控动态老化设备，可以监控的参数除了整板的电压，电流，还可以根据需求，监控到老化中每颗芯片的电压、电流，寄存器数据，时间，频率等诸多参数，并实时记录保存成Excel文档。这样不仅可以确保每颗芯片都处于正常的老化状态，保证老化测试的质量，同时还可以清楚地知道具体失效的参数，以及在什么时间点失效等诸多信息，非常有益于失效后的FA分析。另外由于可以监控更多芯片参数，这使得免除ATE回测成为可能，这将大幅度提高老化测试效率，节省更多人力成本！这项技术目前已在对芯片质量要求较高的芯片设计公司广泛应用。TH801智能老化系统，设备体积小，重量轻，功耗小，节能环保，干净整洁，操作简单，易于上手。HTOL测试机型号

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发明人检查失效的原因，发现读点失效为读“0”失效，并且进一步研究发现闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间有偏移，具体偏移量经测试统计在4μa以内，而且iref1＜iref0，即48小时后iref往电流变小的方向偏移。闪存测试中，若iref＞i，则读出“0”(即闪存读“0”操作时，iref＞i)。闪存判断读“0”的具体操作过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断。当差值变弱到由读出放大器无法进行识别时，读“0”失效。当htol可靠性验证经过***时间点例如48小时后，由于闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移即iref变小，如此一来，闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值变小，超出读出放大器识别范围，于是读“0”失效。测试发现经48小时闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移后，进一步做htol测试，闪存参考单元的输出电流iref在第三时间点例如168小时,第四时间点例如500小时,第五时间点例如1000小时测试均不会进一步偏移。国内HTOL测试机私人定做