嘉定区HTOL测试机怎么用

时间:2024年03月20日 来源:

    1.试验目的标准试验目的备注JESD22-A108F-2017确定偏置条件和温度对于固态器件随时间的影响。试验可以加速地模拟器件的运行状态,主要用于器件的可靠性测试。本实验在较短时间内对器件施加高温偏置,通常也被称为老化或老炼。,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。GJB548B-2015方法,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。AEC-Q100参照JESD220-A108F-2017————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。 上海顶策科技TH801智能老化系统,芯片状态实时参数正态分布图,散点图等显示,多维度分析芯片状态。嘉定区HTOL测试机怎么用

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包括:将所述源极101和漏极102均悬空,在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1,在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2;其中,所述***擦除电压vc1为负电压,所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v~-8v,本实施例中例如为-9v;所述第二擦除电压vc2的范围为8v~10v,本实施例中例如为9v;擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。本实施例中,闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿),通过在衬底100上施加正电压,在控制栅106上施加负电压,以在隧穿氧化层103中注入空穴,同时减少浮栅104中的电子。

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本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图;发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中,具体标号如下:100-衬底;101-源极;102-漏极;103-隧穿氧化层;104-浮栅;105-栅间介质层;106-控制栅;107-侧墙;具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法,以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例,*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图,上海顶策科技有限公司提供可靠性测试整体解决方案,以及测试方案制定,PCB设计制作,测试试验。金山区HTOL测试机性能

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闪存参考单元的隧穿氧化层103中会捕获一些主要从生产工艺带来的浅能级的空穴,在浮栅里面会注入所需要的电子。编译过程中浮栅104可以捕获电子,擦除过程中隧穿氧化层103会捕获空穴;在经过多次的编译以及擦除后,会在浮栅104中有更多的电子,隧穿氧化层103中有更多的空**7中经编译和擦除循环后电子空穴的净值(差值)与未经编译和擦除循环的电子空穴的净值(差值)相等,从而保证闪存参考单元编译和擦除循环后的输出电流与编译和擦除循环前的输出电流是相等的。擦除过程中隧穿氧化层捕获的空穴为深能级的空穴,这些深能级的空穴不容易移动,而在浮栅里面捕获的电子比较活跃,在htol测试过程中高温下会比较容易丢失,从而补偿了闪存参考单元从生产工艺带来的浅能级的空穴在htol测试过程中的丢失。嘉定区HTOL测试机怎么用

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