黄浦区HTOL测试机哪家强

时间:2024年03月26日 来源:

一种闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。具体的,待测闪存在同一闪存芯片(die)中的不同区域分布有闪存参考单元和闪存阵列单元,闪存阵列单元用于存储数据,闪存参考单元用于提供参考阈值电压以区分闪存阵列单元的状态。提供的待测闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元中捕获。引入)空穴,所述空穴在htol测试过程中存在丢失。图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图,上海顶策科技智能HTOL系统,通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅度提高HTOL效率。黄浦区HTOL测试机哪家强

可靠性测试整体解决方案:可靠性设备,HTOL/LTOL、双85、HAST等几十项可靠性测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,满足各类芯片可靠性测试需求。涵盖模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计,原理图设计,PCBlayout加工制作,老化程序开发调试,可靠性测试试验,出具可靠性报告等全方面服务。上海顶策科技有限公司,拥有20年以上的丰富测试技术积累及运营经验,以及多项发明专利及软件著作权,自成立以来已经为超过500家半导体公司提供高质量,高效率,低成本,一条龙测试解决方案!黄浦区什么是HTOL测试机上海顶策科技有限公司可靠性测试部,提供芯片可靠性测试整体解决方案。

上海顶策科技有限公司,提供可靠性测试整体解决方案,包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备,以及测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,满足各类芯片可靠性测试需求。自主研发TH801智能一体化HTOL测试机,实时监测并记录环境温度,以及每颗芯片电压,电流,频率,寄存器状态等数据,确保芯片处于正常HTOL状态,保证HTOL测试质量。通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率,节省更多时间、FA成本。全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性;有全程HTOL数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心。

闪存参考单元包括:衬底100,位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102,位于导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构,即为ono结构。具体的,闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图,如图3所示,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极101上施加***编程电压vb1,在所述漏极102上施加第二编程电压vb2,在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3,在所述衬底100上施加第四编程电压vb4;其中,所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2;所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压vb3的范围为8v~10v,所述第四编程电压vb4的范围为~-1v,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。上海顶策科技的HTOL测试机TH801,自有发明专利的智能HTOL系统,自主研发在线实时单颗监测技术。

    3.试验方法标准试验方法备注JESD22-A108F-20171.应力持续时间应符合要求,在必要时进行测量;2.如果制造商提供了验证数据,不需要在偏置下进行冷却。中断偏置1min,不应认为消除了偏置。1.测量所用时间不应纳入器件试验时间;2.偏置指电源对引脚施加的电压。,一般在老化结束96h内进行;2.在消除偏置之前,器件在室温下冷却到稳定状态的10℃以内。如果应力消失,则试验时间延长。GJB548B-2015方法:1.四种标准都保证了器件高温工作时间的完整性。————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。 上海顶策科技有限公司可靠性测试服务,涵盖模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计。嘉定区怎样选择HTOL测试机

上海顶策科技TH801智能老化系统,拥有智能动态在线实时检测技术,同时一体化结合ATE与高温老化炉。黄浦区HTOL测试机哪家强

在每个时间点读点过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断,若iref<i,则闪存读出“1”;若iref>i,则闪存读出“0”。与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明所提供的闪存htol测试方法,对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量,从而使闪存htol读“0”通过,解决了闪存htol测试中读点失效的问题,提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图;图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图;图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图;图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图;图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图;黄浦区HTOL测试机哪家强

信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责