南通电路板特种封装方式

前两年行业的景气度低，LED芯片厂商利润下降明显。部分厂商选择退出，行业集中度进一步提升。随着国内厂商选择向档次高LED芯片、新兴应用市场扩产，国内LED外延芯片产业向更高标准、更大规模趋势发展，在以规模制胜的高度集约化竞争形势下，国内先进的芯片厂商或迎来新一轮行业增长的机遇。电子制造先进封装技术从未如此重要过，IC芯片半导体先进封装技术已成为了各大晶圆厂、封测厂商甚至一些Fabless的重点投入领域。在科技领域，很多突破都与“多”和“大”有关，但是在集成电路领域，有一个部件正在不断地往“小”的方向发展，那就是晶体管。当我们觉得手机变得更好，汽车变得更好，电脑变得更好时，那是因为在背后，晶体管变得更好，我们的芯片中有更多的晶体管。BGA封装是一种引脚以焊球形式存在于底部的封装形式。南通电路板特种封装方式

BGA封装，BGA封装即球栅阵列封装，它将原来器件PccQFP封装的J形或翼形电极引脚改成球形引脚，把从器件本体四周“单线性”顺序引出的电极变成本体底面之下“全平面”式的格栅阵排列。这样，既可以疏散引脚间距，又能够增加引脚数目。焊球阵列在器件底面可以呈完全分布或部分分布。从装配焊接的角度看，BGA芯片的贴装公差为0.3mm，比QFP芯片的贴装精度要求0.08mm低得多。这就使BGA芯片的贴装可靠性明显提高，工艺失误率大幅度下降，用普通多功能贴片机和回流焊设备就能基本满足组装要求。南通电路板特种封装方式使用金属 TO 外壳封装可实现 25Gbit/s 以上传输速率。

无核封装基板制作技术不需要蚀刻铜箔制作电子线路，突破了HDI途径在超精细线路制作方面存在的技术瓶颈，成为档次高封装基板制造的好选择技术。另外，该技术采用电沉积铜制作电气互连结构，故互连结构的电沉积铜技术已经是无核封装基板制作的主要技术之一。封装技术的演进，即使是较古老的封装技术仍然在使用这里。但是，通过从线键到倒装芯片外部设备再到阵列封装、缩小I/O间距、更小的封装体和多组件模块，以实现更高密度封装是明显的趋势。

PWB和PCB，PWB（printed wiring board，印制线路板）：泛指表面和内部布置有导体图形的绝缘基板。PWB本身是半成品，作为搭载电子元器件的基板而起作用。通过导体布线，进行连接构成单元电子回路，发挥其电路功能。PCB（printed ciruid board，印制电路板）是指搭载了电子元器件的PWB的整个基板为印制电路板。在多数情况下，通常将PWB与PCB按同义词处理而不加区分。实际上PWB和PCB在有些情况下是有区别的，例如，PCB有时特指在绝缘基板上采用单纯印刷的方式，形成包括电子元器件在内的电路，可以自成一体；而PWB更强调搭载元器件的载体功能，或构成实装电路，或构成印制电路板组件。通常简称二者为印制板。QFP 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好，缺点是散热性能较差。

TO 封装。TO 封装是典型的金属封装。TO 封装具有高速、高导热的优良性能。对于光通信中的高速器件，使用金属 TO 外壳封装可实现 25Gbit/s 以上传输速率；对于需要散热效率高的电子器件或模块，使用高导热 TO 外壳封装能够达到更好的散热效果，该类外壳以无氧铜代替传统可伐合金，导热速率是传统外壳的 10 倍以上。常见的TO规格有TO-18、TO-46、TO-56、TO-8、TO-9、TO-10等，如图1所示为多种规格型号的TO元器件。上述各类TO元器件的封装，可采用储能式封焊机进行封装，例如北京科信机电技术研究所（以下简称北京科信）生产的FHJ-3自动储能式封焊机。储能式封焊机，其工作原理主要是采用一定的充电电路对电容进行充电，由电容先将能量储存起来，当储存的能量达到可以使被焊接器件接触面焊点熔化的能量值时，控制系统控制电容瞬时放电，向焊接区提供集中能量，从而得到表面质量好、变形小的焊件。DIP 封装是一种传统的 MOS 管封装方式，通常用于低频、低功率的场合。南通电路板特种封装方式

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集成电路包括IDM和垂直分工两种模式，目前垂直分工模式逐渐崛起。IDM作为垂直产业链一体化模式，由一家厂商完成设计、制造、封测三个环节，表示厂商包括英特尔、三星、德州仪器、意法半导体等。垂直分工模式下三个环节分别由专门的厂商完成，全球IC设计企业包括高通、博通、联发科、华为海思等；IC制造企业主要有台积电、中芯国际等；IC封装测试企业主要有日月光、安靠、长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技等。由于集成电路行业投资巨大，垂直分工模式下企业能够降低运营和研发风险，随着fabless模式在集成电路领域兴起，垂直分工模式逐渐崛起。南通电路板特种封装方式