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2018年中国市场IGBT模块需求为7898万，但国内产量只为115万，供需缺口巨大。据业内人士透露，IGBT总体市场规模将保持每年10%以上的增长率，主要受益于新能源汽车产业的发展。IGBT以上市公司斯达半导体为例，2016年至2018年，增长率将远高于此。许多国内公司IGBT主营企业实现了快速增长。特别是在贸易战洗礼后，越来越多的下游制造商开始尝试接受国内制造商IGBT，这是国产的IGBT更多的试错机会促进了国内的发展IGBT技术迭代，让国产IGBT进入良性迭代循环的过程。IGBT国内替代已进入快速增长期，越来越多的中小客户完成了高比例的产业化。在工业和部分细分领域，国产化率已达到50%以上。通过非通即断的半导体特性，不考虑过渡过程和寄生效应，我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。重庆网带式气氛烤炉市价

焊接 IGBT 功率模块封装失效机理：键合线失效，一般使用 Al 或 Cu 键合线将端子与芯片电极超声键合实现与外部的电气连接，两种材料均与 Si 及Si 上绝缘材料，如 SiO2 的 CTE 差别较大。当模块工作时，IGBT 芯片功耗以及键合线的焦耳热会使键合线温度升高，并在接触点和键合线上产生温度梯度，形成剪切应力。长时间处于开通与关断循环的工作状态，产生应力及疲劳形变累积，会导致接触点产生裂纹，增大接触热阻，焦耳热增多，温度梯度加大较终导致键合线受损加剧，形成正向反馈循环，较终导致键合线脱落或断裂。研究表明，这些失效是由材料 CTE 不匹配导致的结果。键合线断裂的位置出现在其根部，这种根部断裂是键合线失效的主要表现。一些研究指出，可以通过优化键合线的形状来改善其可靠性。具体而言，键合线高度越高、键合线距离越远，键合线所受应力水平越低，可靠性越高。真空灌胶自动线厂商IGBT的漏电流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之间。

功率模块是实现绿色能源转换的重要部件，绝缘栅门极晶体管( Insulated Gate Bipolar Translator，IGBT) 作为使用频率[敏感词]的电源转换芯片，是出现故障频率[敏感词]的器件，其失效机理及检测方式被大量研究。可靠的封装为芯片工作提供稳定的电气连接、良好的绝缘性能和充分的抗干扰能力，是IGBT功率模块可靠性的重要组成部分。现在被主流使用的封装形式有焊接型和压接型封装。两种封装结构在功率密度、串并联能力、制造费用、封装可靠性和散热能力等方面有所不同。由于压接型封装具有双面冷却和失效自短路效应，其在散热、可靠性及串联能力上优于焊接型封装，因此被普遍用于高功率密度场合，如高压电网和高功率机械设备，但封装复杂笨重。焊接型封装结构因其制造工艺简单、成本低和并联能力强被普遍使用在中低功率密度场合，如消费电子、汽车电子。两种封装结构导致了不同的失效机理，但其本质多是IGBT 芯片工作产生的热量未即时耗散，引起温度梯度，较终导致的封装材料疲劳致使失效。

IGBT应用场景，以上就是IGBT的一些基础知识的介绍了，IGBT发展至今这么长的时间，从传统的电力电子领域拓展到汽车电子领域，IGBT设备的性能也在不断提升，要求也越来越高。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块生产过程主要是把晶圆贴片在陶瓷基板上，键合线，插针，点胶密封等过程。在阅读本文之前，欢迎识别二维码加入艾邦IGBT产业微信群；IGBT可以用于恒定电压输出，可以保持电源的稳定性。

IGBT主要的物料有IGBT芯片，二极管，五金件，键合丝，陶瓷基板，外壳等。IGBT模块生产工艺流程：IGBT模块工艺流程简介：（1）贴晶圆：使用晶圆贴片机将切合的IGBT晶圆和锡片贴装到DBC基板上；IGBT晶圆，上面被分割成一颗颗的正是IGBT芯片。贴片设备会将晶圆上的IGBT芯片自动取下来，放置到固定的衬板上，形成IGBT模块的电路（2）真空回流焊（一次）：根据客户需求，将贴好晶圆的DBC基板送入回流炉中，在炉内进行加热熔化（一次回流炉使用电加热，工作温度245℃，持续工作7分钟左右）， 以气态的甲酸与锡片金属表面的氧化物生成甲酸金属盐，并在高温下裂解还原金属，以此达到焊接目的，需向炉内注入氮气作为保护气以保证焊接质量。甲酸焊接过程化学反应机理如下：HCOOH+MO→M+H2O+CO2。IGBT可以用作开关元件来控制电力，如电源的输入和输出。真空封盖自动线现货直发

一般所说的IGBT也指IGBT模块。重庆网带式气氛烤炉市价

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极较大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。重庆网带式气氛烤炉市价