半导体设备光刻机美元价

EVG®101--先进的光刻胶处理系统主要应用：研发和小规模生产中的单晶圆光刻胶加工EVG101光刻胶处理系统在单腔设计中执行研发类型的工艺，与EVG的自动化系统完全兼容。EVG101光刻胶处理机支持蕞大300mm的晶圆，并可配置用于旋涂或喷涂以及显影应用。通过EVG先进的OmniSpray涂层技术，在互连技术的3D结构晶圆上获得了光致光刻胶或聚合物的保形层。这确保了珍贵的高粘度光刻胶或聚合物的材料消耗降低，同时提高了均匀性和光刻胶铺展选择。这大达地节省了用户的成本。EVG的掩模对准目标是适用于高达300mm的不同的厚度，尺寸，形状的晶圆和基片。半导体设备光刻机美元价

EVG770自动UV-NIL纳米压印步进机，用于制作主图章。母模是晶圆大小的模板，里面完全装有微透镜模具，每个模具都采用分步重复的方法从一个透镜模板中复制。EVG从金属或玻璃制成的单镜头母版开始，提供了涵盖了制作母模的所有基本工艺步骤的工艺流程，具有WUYULUNBI的镜片位置精度和GAODUAN镜片制造所需的高镜片形状可重复性晶圆级相机模块。IQAligner自动UV-NIL纳米压印系统，用于UV微透镜成型。软UV压印光刻技术是用于制造聚合物微透镜（WLO系统的关键要素）的高度并行技术。EVG从晶圆尺寸的主图章复制的软性图章开始，提供了混合和整体式微透镜成型工艺，可以轻松地将其应用于工作图章和微透镜材料的各种材料组合。此外，EVGroup提供合格的微透镜成型工艺，包括所有相关的材料专业知识。EVG40NT自动测量系统。支持非常高的分辨率和精度的垂直和横向测量，计量对于验证是否符合严格的工艺规范并立即优化集成的工艺参数至关重要。在WLO制造中，EVG的度量衡解决方案可用于关键尺寸（CD）测量和透镜叠层对准验证，以及许多其他应用。中科院光刻机参数如果需要光刻机（掩膜曝光机），请联系我们。

HERCULES光刻轨道系统特征：生产平台以蕞小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势；多功能平台支持各种形状，尺寸，高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理；高达52,000cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征；CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性；OmniSpray®涂覆用于高地形表面的优化的涂层；纳流®涂布，并通过结构的保护；自动面膜处理和存储；光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒；使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎，薄或翘曲的晶圆处理；返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统；多用户的概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）。

EVG®150--光刻胶自动处理系统EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台，可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆，而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征：晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载EVG150光刻胶处理系统拥有：Ergo装载盒式工作站/ SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口。

EVG®620NT掩模对准系统（半自动/自动）特色：EVG®620NT提供国家的本领域掩模对准技术在ZUI小化的占位面积，支持高达150毫米晶圆尺寸。技术数据：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著称，在ZUI小的占位面积上结合了先进的对准功能和ZUI优化的总体拥有成本，提供了ZUI先进的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具，可提供半自动或自动配置以及可选的全覆盖Gen2解决方案，以满足大批量生产要求和制造标准。拥有操作员友好型软件，ZUI短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持，使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG101是光刻胶处理，EVG105是光刻胶烘焙机，EVG120、EVG150是光刻胶处理自动化系统。半导体设备光刻机美元价

我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。半导体设备光刻机美元价

EVG®610特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户的概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG®610技术数据：对准方式上侧对准：≤±0.5µm底面要求：≤±2,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±2,0µm半导体设备光刻机美元价