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    经减薄处理后的玻璃可再次进入所述冲洗区2以经历减薄后清洁并且通过所述转换区1被卸载到外部；所述玻璃减薄设备还设置有制动组件，通过所述制动组件实现所述玻璃加工治具4从所述转换区1经所述冲洗区2向所述蚀刻区3的减薄前移动，以及从所述蚀刻区3经所述冲洗区2向所述转换区1的减薄后移动。在本实施例中，图1内并排设置有2个所述玻璃减薄设备，所述冲洗区2包括冲洗区2、第二冲洗区2和第三冲洗区2，所述第二冲洗区2设置于所述冲洗区2和所述第三冲洗区2之间，所述冲洗区2设置于所述第二冲洗区2和所述转换区1之间，所述第三冲洗区2设置于所述第二冲洗区2和所述蚀刻区3之间。所述转换区1可升降的折叠式结构，从而便于所述玻璃加工治具4在所述转换区1的放置或卸下。较佳的，所述转换区1还设置有装卸臂，通过所述装卸臂可实现对所述玻璃加工治具4的上下料，以及单片玻璃的拿取检测。实施例二如图2所示，图2为所述蚀刻区的结构示意图；所述蚀刻区3包括腔室31、主厚度测量仪32、喷淋组件33和控制器；所述喷淋组件33在所述腔室31中对设置于所述玻璃加工治具4上的玻璃施加减薄处理，所述主厚度测量仪32实时测量在所述腔室31内经历减薄处理的玻璃厚度。芜湖中芯国际用减薄用清洗剂私人定做减薄用清洗剂的使用时要注意什么？

    图1为本发明实施例提供的一种抛光减薄装置的结构示意图；图2为本发明实施例提供的一种托盘和待加工部件的键合固定方式示意图；图3为本发明实施例提供的一种磁转子的结构示意图；图4为本发明实施例提供一种磁转子的旋转方式的示意图；图5为本发明实施例提供的一种抛光减薄方法的流程示意图。具体实施方式以上是本发明的思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明实施例提供了一种抛光减薄装置，用于对inp基晶圆等部件进行抛光减薄，如图1所示，包括托盘10、喷头11和磁转子12，当然，本发明实施例中的抛光减薄装置还包括反应室13等，托盘10、喷头11和磁转子12等在反应室13内进行抛光和减薄反应。其中，托盘10，可选为石英托盘，用于固定待加工部件20，待加工部件20包括inp基晶圆。喷头11用于向待加工部件20的待加工表面喷涂抛光液110，以对待加工表面进行抛光。

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。质量比较好的减薄用清洗剂的公司。杭州什么是减薄用清洗剂销售价格

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