PVD闸阀ALUMINUM GATE VALVE

微泰,传输阀、转换阀、输送阀、转移阀是安装在半导体PVDCVD设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统。它充当将位于工艺模块中的晶圆转移到工艺室的沟槽。I型和L型转移阀是用于半导体PVD CVD设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统。它们的作用是将位于工艺模块中的晶圆转移到工艺室的沟槽，并极大限度地减少由于闸板打开和关闭造成的真空压力变化，以维持腔室内的真空压力。I型转移阀由铝或不锈钢制成，用于传输晶圆小于450毫米的半导体系统和隔离工艺室。其特点是叶片在垂直方向上快速移动，以确保完美的腔室压力维持。而L型转移阀也由铝或不锈钢制造，其特点是设计紧凑，易于维护。L型转移阀的闸门在两个阶段从垂直到水平方向移动，以确保完美的腔室压力维护。这两种类型的转移阀都具有高耐用性和长寿命的优点，并且在闸门开启和关闭过程中极大限度地减少了振动，对温度变化也非常稳定，以确保较长的使用寿命。如果您需要了解更多关于微泰传输阀、转换阀、输送阀、转移阀的信息，请联系上海安宇泰环保科技有限公司。闸阀的结构比较简单，一般由阀体、阀座、阀杆、闸板、阀盖、密封圈几部分组成。PVD闸阀ALUMINUM GATE VALVE

微泰高压闸阀可以应用于多种设备，如蒸发、溅射、金刚石生长、PECV、PVD集群、卷对卷、涂层、蚀刻、扩散和CVD等。它具有陶瓷球机构产生的低颗粒和易于维护等特点，可替代VAT闸阀。该阀门的规格包括手动或气动驱动方式、1.5英寸至14英寸的法兰尺寸、CF法兰类型、焊接波纹管连接方式、氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM阀门密封、氟橡胶O型圈阀盖密封、≤2秒响应时间、1.5˝至6˝的操作压力范围为1×10-10 mbar至1400 mbar，8˝至14˝的操作压力范围为1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的开始时压差、≤1400 mbar的6˝以下闸门差动压力和≤1200 mbar的8˝至14˝闸门差动压力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次维护前可用次数、阀体温度≤200°、机构温度≤80°C、烤炉温度≤150°C、阀体不锈钢304或316L和驱动器铝6061阳极氧化、任意安装位置和4至7 bar的N2操作压力。此外，微泰高压闸阀已在中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其他设备上得到应用。如果您需要了解更多关于微泰高压闸阀的信息，请联系上海安宇泰环保科技有限公司。蒸发闸阀TRANSFER VALVE闸板有刚性闸板和弹性闸板，根据闸板的不同，闸阀分为刚性闸阀和弹性闸阀。

微泰转移阀是安装在半导体PVDCVD设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统。它充当将位于工艺模块中的晶圆转移到工艺室的沟槽。此外，它极大限度地减少了由于闸板打开和关闭造成的真空压力变化，使腔室内的真空压力得以维持。负责门控半导体晶圆转移的转移阀分为两种类型:I型和L型。一、I型转移阀。I型转移阀产品由铝或不锈钢制成，用于传输晶圆小于450毫米的半导体系统和隔离工艺室。本型的特点是叶片在垂直方向上快速移动，确保完美的腔室压力维持。它采用具有LM导向系统和单连杆的内部机构，保证高耐用性和长寿命。二、L型转移阀。L型转移阀产品由铝或不锈钢制造，其特点是设计紧凑，易于维护。L型转移阀的特点是闸门在两个阶段从垂直到水平方向移动，确保完美的腔室压力维护。它的内部机构，包括一个LM导向系统和滞留弹簧和楔形营地结构，保证了高耐用性和长寿命，同时提供稳定和精确的运动。I型和L型转移阀在在闸门开启和关闭过程中极大限度地减少了振动，并且对温度变化非常稳定，确保了较长的使用寿命。此外，即使长时间使用栅极，它们产生的颗粒也很少，从而避免了晶圆缺陷或主器件的污染。微泰不断创新，在开发先进的压力控制和控制阀制造专业从事真空闸阀不懈努力。

微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*使用加热套或内部加热器加热*加热控制器*应用:去除粉末/气体设备。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。这些真空阀可以手动、气动或电子方式驱动，从而可以根据具体应用进行多功能控制。

微泰，三重防护闸阀、三防闸阀，应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• 涂层• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰三重防护闸阀、三防闸阀其特点是• 阀门控制器（1CH ~ 4CH）• 应用：半导体生产线中粉末和气体等副产品的处理，防止回流。三重防护闸阀、三防闸阀规格如下：操作：气动、法兰尺寸（内径） 2.5˝ ~ 10˝、法兰类型ISO，KF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型环/Kalrez O型环、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作压力范围： 1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、闸门上的压差； 1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。闸阀不易产生水锤现象。原因是关闭时间长。超大型真空闸阀Global Foundries

介质可向两侧任意方向流动，易于安装。闸阀通道两侧是对称的。PVD闸阀ALUMINUM GATE VALVE

微泰，多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀其特点是•操作模式：本地和远程•紧急情况：自动关闭•慢速泵送功能。多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀规格如下：材料：阀体 STS304， 机制 STS304、法兰尺寸(内径) 4英寸~10英寸、闸门密封 FKM(VITON)、开/关振动 无振动、He泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、闸门压差 ≤1.4 bar、分子流动电导（ISO100）1891 l/s、阀座 1X10-10 mbarㆍL/秒、泄漏率阀体 1X10-10 mbarㆍL/Sec、压力范围 1X10-10mbar 至 1.4 bar、闸门上任一方向的压差≤1.4 bar、安装位置：任意。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 PVD闸阀ALUMINUM GATE VALVE