聊城MTDC400晶闸管智能模块组件

时间:2024年12月08日 来源:

    1)安装1)按电路元件明细表配齐元件,并对元件进行检测。2)在面包板上根据电路图合理安排元件的位置。3)安装元件,确认无误后调试。(2)调试安装完毕的电路经检查确认无误后,接通电源进行调试。先调控制电路,然后再调试主电路。控制电路的调试步骤是:在控制电路接上电源后,先用示波器观察稳压管两端的电压波形,应为梯形波;再观察电容器两端的电压波形,应为锯齿波;调节电位器RP,锯齿波的频率有均匀的变化。表12—2所示为触发电路各点的波形图。主电路的调试步骤是:用调压器给主电路加一个低电压(40~50V),用示波器观察晶闸管阳、阴极之间的电压波形。波形上有一部分是一条平线,它是晶闸管的导通部分;调节电位器RP,波形中平线的长度随之变化,表示晶闸管导通角可调,电路工作正常。否则要检查原因,排除故障后,重新调试。待检查无误后,给主电路加工作电压,灯泡EL发光。调节RP,当增大RP时,则EL变暗;当减小RP时,则EL变亮,说明电路工作正常。诚挚的欢迎业界新朋老友走进正高电气!聊城MTDC400晶闸管智能模块组件

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晶闸管智能模块工作原理

晶闸管智能模块用于电加热控制柜内,通过温控仪表的温度传感器来采集炉内温度,然后由恒温仪表来控制智能可控硅调压模块的输出电压,形成一个温度闭环系统,来保持炉内温度恒定。

晶闸管智能模块过压保护:

晶闸管智能模块工作时由导通到截止时或因雷击及其他原因都会产生能量较大,持续时间较长的过电压,此电压直接作用与晶闸管上会使晶闸管超过额定电压而击穿,为了保护晶闸管,常采用压敏电阻吸收与阻容吸收的方法来吸收过电压,有效避免晶闸管被击穿。 聊城MTDC400晶闸管智能模块组件我公司将以优良的产品,周到的服务与尊敬的用户携手并进!

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    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道,晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。

    检测两基极间电阻:两表笔(不分正、负)接单结晶体管除发射极E以外的两个管脚,读数应为3~10kΩ。[7]检测PN结正向电阻(N基极管为例,下同):黑表笔接发射极E,红表笔分别接两个基极,读数均应为数千欧。对调两表笔后检测PN结反向电阻,读数均应为无穷大。如果测量结果与上述不符,说明被测单结管已损坏。[8]测量单结晶体管的分压比η:按图示搭接一个测量电路,用万用表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2,再按公式η=UC2/UB计算即可。[9]单结晶体管的基本应用是组成脉冲产生电路,包括振荡器、波形发生器等,并可使电路结构大为简化。图示为单结晶体管弛张振荡器。单结管VT的发射极输出锯齿波,基极输出窄脉冲,第二基极输出方波。RE与C组成充放电回路,改变RE或C即可改变振荡周期。该电路振荡周期T≈RECln[1/(1-η)],式中,ln为自然对数,即以e()为底的对数。[10]单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。图示为调光台灯电路。在交流电的每半周内,晶闸管VS由单结管VT输出的窄脉冲触发导通,调节RP便改变了VT输出窄脉冲的时间,即改变了VS的导通角,从而改变了流过灯泡EL的电流,实现了调光的目的。[11]晶体闸流管简称为晶闸管,也叫做可控硅。正高电气生产的产品质量上乘。

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    普通晶闸管普通晶闸管(SCR)是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件,三个引出端分另为阳极A、阴极K和门极G、图8-4是其电路图形符号。普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能,其内部可以等效为由一只PNP晶闸管和一只NPN晶闸管组成的组合管,如图8-5所示。当晶闸管反向连接(即A极接电源负端,K极接电源正端)时,无论门极G所加电压是什么极性,晶闸管均处于阻断状态。当晶闸管正向连接(即A极接电源正端,K极接电源负端)时,若门极G所加触发电压为负时,则晶闸管也不导通,只有其门极G加上适当的正向触发电压时,晶闸管才能由阻断状态变为导通状态。此时,晶闸管阳极A极与阴极K极之间呈低阻导通状态,A、K极之间压降约为1V。普通晶闸管受触发导通后,其门极G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,晶闸管将维持低阻导通状态。只有把阳极A电压撤除或阳极A、阴极K之间电压极性发生改变(如交流过零)时,普通晶闸管才由低阻导通状态转换为高阻阻断状态。普通晶闸管一旦阻断,即使其阳极A与阴极K之间又重新加上正向电压,仍需在门极G和阴极K之间重新加上正向触发电压后方可导通。普通晶闸管的导通与阻断状态相当于开关的闭合和断开状态。正高电气为客户服务,要做到更好。聊城MTDC400晶闸管智能模块组件

正高电气从国内外引进了一大批先进的设备,实现了工程设备的现代化。聊城MTDC400晶闸管智能模块组件

    晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。(一)按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。(二)按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。(三)按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中。聊城MTDC400晶闸管智能模块组件

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